[发明专利]用于多晶圆堆叠和切割的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供结构，其包括：

载体晶圆，以及

第一设备晶圆，粘附层在所述载体晶圆和所述第一设备晶圆之间；以及

在所述结构中形成多个第一消融结构，所述多个第一消融结构中的每一者穿过所述载体晶圆的一部分、所述第一设备晶圆和所述粘附层延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一消融结构中的每一者具有在所述载体晶圆内部的具有不大于所述载体晶圆的厚度的一半的深度的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一设备晶圆包括多个第一裸片，每对相邻的第一裸片由所述多个第一消融结构中的一者分离。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过激光切槽或机械锯切来形成所述多个第一消融结构。

5.根据权利要求1、2和4中的任一项所述的方法，还包括：

在所述多个第一消融结构形成之前，在所述结构上形成第一保护层；以及

在所述多个第一消融结构形成之后，移除所述第一保护层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一设备晶圆包括所述第一设备晶圆的第一侧面和与所述第一设备晶圆的所述第一侧面相对的所述第一设备晶圆的第二侧面，所述第一设备晶圆的所述第一侧面与所述粘附层接触，并且所述第一设备晶圆的所述第二侧面包括被配置为键合到第二设备晶圆的多个第一键合触点。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

使所述第一设备晶圆减薄；以及

在所述第一设备晶圆减薄之后，在所述第一设备晶圆的所述第二侧面上形成所述多个第一键合触点。

8.根据权利要求6或7所述的方法，还包括：

通过所述多个第一键合触点将所述第二设备晶圆键合到所述第一设备晶圆。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

根据所述多个第一消融结构在所述第二设备晶圆中形成多个第二消融结构，所述多个第二消融结构中的每一者穿过所述第二设备晶圆的一部分延伸，其中所述多个第二消融结构的横截面的至少大部分当覆盖具有所述多个第一消融结构的横截面的所述载体晶圆的横截面和具有所述多个第二消融结构的横截面的所述第二设备晶圆的横截面时，与所述多个第一消融结构的横截面重叠。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二设备晶圆包括多个第二裸片，每对相邻的第二裸片由所述多个第二消融结构中的一者分离。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个第二消融结构中的每一者具有不大于所述第二设备晶圆的厚度的一半的深度。

12.根据权利要求10或11所述的方法，还包括：

在所述多个第二消融结构形成之前，在所述第二设备晶圆上形成第二保护层；以及

在所述多个第二消融结构形成之后，移除所述第二保护层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

通过沿着至少所述第一消融结构和所述第二消融结构穿过至少所述载体晶圆、所述粘附层、所述第一设备晶圆和所述第二设备晶圆进行切割来提供多个单独的键合半导体设备，其中所述多个单独的键合半导体设备中的每一者包括来自所述第一设备晶圆和所述第二设备晶圆中的每一者的裸片。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在提供所述多个单独的键合半导体设备之前，通过使具有在50mJ/cm²至500mJ/cm²之间的功率的紫外辐射通过所述载体晶圆照射到所述粘附层一段在10秒至200秒之间的时间，来将所述粘附层的粘附性减小90％至99％之间。