[发明专利]先进的存储结构和设备

权利要求书

1.一种存储结构，包括：

第一场元件，所述第一场元件是超导体；

第二场元件，其被设置为面对所述第一场元件并与所述第一场元件相距第一距离，并且耦合到所述第一场元件以产生力场；

可移动磁性元件，其被设置在所述第一场元件和所述第二场元件之间的空间中以由所述力场进行控制，所述可移动磁性元件被所述第二场元件排斥；以及

第一加热器，其被布置在所述第一场元件附近，所述可移动磁性元件响应于流过所述第一加热器的第一电流而朝向所述第一场元件移动。

2.一种存储设备，包括：

控制电路；以及

存储结构的至少一个阵列，每个存储结构包括：

第一场元件，所述第一场元件是超导体；

第二场元件，其被设置为面对所述第一场元件并与所述第一场元件相距第一距离，并且耦合到所述第一场元件以产生力场；

可移动磁性元件，其被设置在所述第一场元件和所述第二场元件之间的空间中以由所述力场进行控制，所述可移动磁性元件被所述第二场元件排斥；以及

第一加热器，其被布置在所述第一场元件附近，所述可移动磁性元件响应于流过所述第一加热器的第一电流而朝向所述第一场元件移动。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二场元件包括超导体。

4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第二场元件包括第一磁性元件。

5.根据权利要求2所述的设备，其中，每个存储结构还包括：

两个导体，所述两个导体在所述可移动磁性元件响应于流过所述第一加热器的所述第一电流而朝向所述第一场元件移动之后电耦合。

6.根据权利要求2所述的设备，其中，每个存储结构还包括：

第三场元件，所述第三场元件是超导体；

所述第一场元件和所述第三场元件并排设置并且隔开预定距离，所述第三场元件面对所述第二场元件并且被布置为靠近所述第一加热器，所述第一场元件和所述第三场元件在所述可移动磁性元件响应于流过所述第一加热器的所述第一电流而朝向所述第一场元件移动之后电耦合。

7.根据权利要求2所述的设备，其中，响应于流过所述第一加热器的所述第一电流，所述第一场元件部分地失去超导性。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，每个存储结构还包括：

第四场元件，所述第四场元件是超导体；

第五场元件，所述第五场元件是超导体，并且被设置为面对所述第四场元件并且与所述第四场元件相距第二距离；

第二加热器，其被布置在所述第四场元件附近；以及

第三加热器，其被布置在所述第五场元件附近。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，响应于流过所述第二加热器的第二电流，所述可移动磁性元件朝向所述第四场元件移动。

10.根据权利要求8所述的设备，其中，每个存储结构还包括：

第六场元件，所述第六场元件是超导体；

第七场元件，所述第七场元件是超导体，并且被设置为面对所述第六场元件并与所述第六场元件相距第三距离；

第四加热器，被布置在所述第六场元件附近；以及

第五加热器，被布置在所述第七场元件附近。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，响应于流过所述第四加热器的第三电流，所述可移动磁性元件朝向所述第六场元件移动。