[发明专利]金属污染测试装置和方法

说明书

公开了用于测试金属污染的装置和方法的实施例。在示例中，一种用于测试金属污染的装置包括：腔室，测试对象放置在该腔室中；气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中；压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少约1托的压力；以及测量单元，其被配置为从测试对象测量金属的浓度。

背景技术

本公开内容的实施例涉及半导体制造中的计量装置和方法。

在半导体制造中，晶圆可能被作为颗粒或以分子或原子的形式的金属污染，这可能影响器件的产品产量，因为半导体器件对污染敏感。目前在半导体器件制造中，污染占产量损失的很大一部分。当被污染的晶圆在不同的制造设备之间转移时，晶圆上的金属污染也会导致处理线中的交叉污染。当前的工业趋势是半导体器件的制造，其表现出更快的操作上的速度、更小的特征尺寸、更大的集成规模以及由于产量提高和缺陷减少而更低的制造成本。随着器件特征不断缩小以满足这些目标，鉴别晶圆表面微量金属污染的需求变得更加重要。

发明内容

本文公开了用于测试金属污染的装置和方法的实施例。

在一个示例中，一种用于测试金属污染的装置包括：腔室，测试对象放置在该腔室中；气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中；压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少约1托(torr)的压力；以及测量单元，其被配置为从测试对象测量金属的浓度。

在另一个示例中，一种系统包括半导体制造装置和金属污染测量单元。所述半导体制造装置包括：腔室，裸晶圆和被金属污染的石英片放置在所述腔室中；气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中；以及压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少约1托的压力。金属污染测量单元被配置为从裸晶圆测量金属的浓度。

在又一示例中，公开了一种用于测试金属污染的方法。测试对象被提供在腔室内。氮气被供应到腔室中。在腔室中施加至少约1托的压力。从测试对象测量金属的浓度。

附图说明

结合本文并且形成说明书一部分的附图示出了本公开内容的实施例，并且与说明书一起进一步用于解释本公开内容的原理，并且使相关领域的技术人员能够制作和使用本公开内容。

图1示出了根据本公开内容的一些实施例的用于测试金属污染的示例性装置的详细示意图。

图2A示出了根据本公开内容的一些实施例的包括裸晶圆和晶圆保持器的示例性测试对象的横截面。

图2B示出了根据本公开内容的一些实施例的图2A中的示例性晶圆保持器的俯视图。

图3示出了根据本公开内容的一些实施例，在氨的存在下从石英片提取铜污染物到裸晶圆的示例性过程。

图4A-4C示出了根据本公开内容的一些实施例的用于测试半导体制造装置中的金属污染的各种示例性系统的示意图。

图5示出了根据本公开内容的一些实施例的用于测试金属污染的示例性方法的流程图。

将参考附图描述本公开内容的实施例。

具体实施方式

尽管讨论了具体的配置和布置，但是应当理解的是，这仅仅是出于说明的目的。相关领域的技术人员将认识到的是，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，可以使用其它配置和布置。对相关领域的技术人员来说显而易见的是，本公开内容也可以用于各种其它应用。

注意，说明书中提到“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”等表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例不一定包括特定的特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性都在相关领域的技术人员的知识范围内。