[发明专利]存储器件以及形成存储器件的方法

权利要求书

1.一种用于制作存储器件的方法，包括：

提供初始半导体结构，其包括基础衬底、形成于所述基础衬底上并且包括交替地布置的多个层间电介质层和多个第一牺牲层的堆叠结构；以及贯穿所述堆叠结构形成并且处于所述基础衬底之上的沟道沟槽；

去除每个第一牺牲层的接近所述沟道沟槽的部分，以形成在邻近层间电介质层之间凹陷的捕获层沟槽；

在所述捕获层沟槽的底部和侧壁上、以及在所述多个层间电介质层在所述沟道沟槽中露出的侧壁上形成第二牺牲层；

形成电荷捕获膜以填充所述捕获层沟槽；

从所述沟道沟槽去除所述电荷捕获膜和所述第二牺牲层中的每一者的一部分，其中，所述电荷捕获膜的剩余部分形成电荷捕获层；

在所述电荷捕获层和剩余第二牺牲层的沿所述沟道沟槽的侧壁上形成隧穿层，以及在所述隧穿层上形成沟道层；

去除所述多个第一牺牲层；

去除所述剩余第二牺牲层，以露出所述隧穿层的处于所述电荷捕获层与所述邻近层间电介质层之间的部分；

在所述电荷捕获层的露出表面上形成阻挡层；以及

在邻近层间电介质层之间形成多个栅极结构，其中，所述多个栅极结构与所述隧穿层接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多个层间电介质层由氧化硅组成；以及

所述多个第一牺牲层由氮化硅组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多个第一牺牲层中的每个第一牺牲层的厚度处于20nm到40nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述捕获层沟槽在垂直于所述沟道沟槽的侧壁的方向上的深度处于20nm到50nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述电荷捕获膜由包括氮化硅、氮氧化硅或高k电介质材料中的至少一者的材料组成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二牺牲层由GeO₂、多晶硅或高k电介质材料中的至少一者组成；以及

所述第二牺牲层的厚度处于3nm到5nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多个栅极结构中的每个栅极结构包括顺次形成于对应的层间电介质层之间的高k电介质层、功函数层和金属栅极层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述隧穿层由包括氧化硅、氮氧化硅或高k电介质材料中的至少一者的材料组成；以及

所述隧穿层的厚度处于1nm到10nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述阻挡层的厚度处于2nm到10nm的范围内。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述阻挡层是通过热氧化工艺或者原位水汽生成(ISSG)工艺形成于所述电荷捕获层的所述露出表面上的。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成于所述沟道沟槽的底部上并且处于所述基础衬底之上的外延层。