[发明专利]在三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

存储阵列结构；以及

阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，

其中，所述第一阶梯区域包括在第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第一对阶梯，各阶梯包括多个台阶；

所述第一对阶梯中的各阶梯包括在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上在不同的深度处的多个分区；以及

所述第一对阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述分区中的一个分区中的各台阶位于在所述分区中的另一个分区中的任何台阶上方或之下。

3.根据权利要求1或2所述的3D存储器件，其中，

所述存储阵列结构包括在所述第二横向方向上的多个块；以及

所述第一阶梯区域在所述块中的一个或两个块中。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，

所述阶梯结构还包括第二阶梯区域；以及

所述桥接结构在所述第二横向方向上位于所述第一阶梯区域与所述第二阶梯区域之间。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，

所述第二阶梯区域包括在所述第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第二对阶梯；以及

所述第一阶梯区域和所述第二阶梯区域在所述第二横向方向上对称。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的3D存储器件，其中，

所述第一阶梯区域包括在所述第一横向方向上并且在不同的深度处彼此面对的第二对阶梯；以及

所述第一对阶梯和所述第二对阶梯中的各阶梯在不同的深度处。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述第一对阶梯和所述第二对阶梯中的各台阶在不同的深度处。

8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的3D存储器件，还包括在所述存储阵列结构和所述桥接结构中横向地延伸的至少一个字线，使得所述至少一个台阶通过所述至少一个字线经由所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的所述至少一者。

9.根据权利要求1-8中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述第一对阶梯中的所述至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的各者。

10.根据权利要求1-9中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述桥接结构包括垂直地交错的导电层和电介质层。

11.一种三维(3D)存储器件，包括：

存储阵列结构；以及

阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间体中并且将所述存储阵列结构横向地划分为第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括第一阶梯区域和连接所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构的桥接结构，

其中，所述第一阶梯区域包括在第二横向方向上包括多个分区的第一阶梯，各分区包括在垂直于所述第二横向方向的第一横向方向上的多个台阶；

所述分区中的一个分区中的各台阶位于所述分区中的另一个分区中的任何台阶上方或之下；以及

所述第一阶梯中的至少一个台阶通过所述桥接结构电连接至所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一者。

12.根据权利要求11所述的3D存储器件，其中，

所述第一阶梯区域还包括第二阶梯；以及

所述第一阶梯和所述第二阶梯在所述第一横向方向上彼此面对并且具有不同的深度。