[发明专利]显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202080000695.7 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN114207703B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 冯宇;刘利宾;皇甫鲁江 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 于本双
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其中,包括:

衬底基板,具有多个子像素;所述多个子像素中的至少一个包括像素电路;其中,所述像素电路包括驱动晶体管、初始化晶体管以及稳压晶体管;

硅半导体层,位于所述衬底基板上;所述硅半导体层包括所述驱动晶体管的硅有源层和所述初始化晶体管的硅有源层;其中,所述硅有源层具有第一区、第二区以及位于所述第一区和所述第二区之间的第一沟道区;

第一绝缘层,位于所述硅半导体层背离所述衬底基板一侧;

第一导电层,位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧;所述第一导电层包括所述驱动晶体管的栅极和所述初始化晶体管的栅极;

第二绝缘层,位于所述第一导电层背离所述衬底基板一侧;

氧化物半导体层,位于所述第二绝缘层背离所述衬底基板一侧;所述氧化物半导体层包括所述稳压晶体管的氧化物有源层;其中,所述氧化物有源层具有第三区、第四区以及位于所述第三区和所述第四区之间的第二沟道区;

同一所述子像素中,所述初始化晶体管的硅有源层的第二区与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第三区电连接,所述稳压晶体管的氧化物有源层的第四区与所述驱动晶体管的栅极电连接;

所述像素电路还包括阈值补偿晶体管;所述硅半导体层还包括所述阈值补偿晶体管的硅有源层;所述第一导电层还包括所述阈值补偿晶体管的栅极;同一所述子像素中,所述阈值补偿晶体管的硅有源层的第二区与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第三区电连接,所述阈值补偿晶体管的硅有源层的第一区与所述驱动晶体管的硅有源层的第二区电连接;

所述第一导电层还包括:相互间隔设置的多条第一扫描线以及多条第三扫描线;其中,所述第一扫描线以及所述第三扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列;所述第一扫描线在所述衬底基板的正投影与所述初始化晶体管的硅有源层的第一沟道区在所述衬底基板的正投影具有第一交叠区域,且所述第一扫描线位于所述第一交叠区域中的部分为所述初始化晶体管的栅极;所述第三扫描线在所述衬底基板的正投影与所述阈值补偿晶体管的硅有源层的第一沟道区在所述衬底基板的正投影具有第三交叠区域,且所述第三扫描线位于所述第三交叠区域中的部分为所述阈值补偿晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的显示面板,其中,还包括:多条第二扫描线;其中,所述第二扫描线沿第一方向延伸且沿第二方向排列;

所述第二扫描线在所述衬底基板的正投影与所述稳压晶体管的氧化物有源层的第二沟道区在所述衬底基板的正投影具有第二交叠区域,且所述第二扫描线位于所述第二交叠区域中的部分为所述稳压晶体管的栅极。

3.如权利要求2所述的显示面板,其中,一行子像素包括所述第一扫描线、所述第二扫描线以及所述第三扫描线;

同一所述子像素中,所述第二扫描线在所述衬底基板的正投影位于所述第一扫描线和所述第三扫描线在所述衬底基板的正投影之间,且所述稳压晶体管的氧化物有源层在所述衬底基板的正投影位于所述第一扫描线和所述第三扫描线在所述衬底基板的正投影之间,以及所述第二扫描线在所述衬底基板的正投影分别与所述阈值补偿晶体管的硅有源层和所述初始化晶体管的硅有源层在所述衬底基板的正投影不交叠。

4.如权利要求3所述的显示面板,其中,所述稳压晶体管的氧化物有源层沿所述第二方向大致延伸呈一条直线;

所述初始化晶体管和所述阈值补偿晶体管中的至少一个的硅有源层沿所述第二方向大致延伸呈一条直线。

5.如权利要求2-4任一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:

第三绝缘层,位于所述氧化物半导体层背离所述衬底基板一侧;

第二导电层,位于所述第三绝缘层背离所述衬底基板一侧;

第四绝缘层,位于所述第二导电层背离所述衬底基板一侧;

第三导电层,位于所述第四绝缘层背离所述衬底基板一侧,且所述第三导电层包括相互间隔设置的多条数据线;其中,一列子像素包括所述数据线;

同一列子像素中,所述初始化晶体管的硅有源层和所述阈值补偿晶体管的硅有源层在所述衬底基板的正投影均位于所述稳压晶体管的氧化物有源层在所述衬底基板的正投影背离所述数据线在所述衬底基板的正投影一侧。

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