[发明专利]量子点发光结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光结构，包括：

量子点发光层；

电极；以及

电子传输层，位于所述量子点发光层和所述电极之间，

其中，所述量子点发光结构还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述电子传输层中，

所述电子传输层包括第一子电子传输层和第二子电子传输层，所述第二子电子传输层位于所述第一子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧，所述第二子电子传输层的导带底能级大于所述第一子电子传输层的导带底能级，且小于所述量子点发光层的导带底能级，

所述第一子电子传输层为氧化锌薄膜，所述第二子电子传输层为掺杂氧化锌薄膜，

所述第二子电子传输层包括多个子掺杂电子传输层，所述多个子掺杂电子传输层的掺杂浓度从所述第一子电子传输层到所述量子点发光层的方向上逐渐增加，

所述电子阻挡层位于所述第一子电子传输层和所述第二子电子传输层之间，并且

所述电子阻挡层还位于所述第二子电子传输层内的所述多个子掺杂电子传输层之间。

2.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层包括N+1个子电子传输层，所述电子阻挡层包括N个子电子阻挡层，所述N个子电子阻挡层分别夹设在所述N+1个子电子传输层之间，N为大于等于2的正整数。

3.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层包括氧化锌薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的导带底能级大于所述量子点发光层的导带底能级。

5.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的材料包括氧化铝、氧化钽和氧化铪中的至少之一。

6.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述量子点发光结构在7V的电压之下发光亮度大于500cd/m²。

7.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子传输层靠近所述量子点发光层的均方根表面粗糙度的范围为5-10纳米。

8.根据权利要求1或2所述的量子点发光结构，其中，所述电子阻挡层的厚度为1-2纳米。

9.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂材料包括Mg、Al、Zr、Hf、Y中的至少之一。

10.根据权利要求9所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂材料为Mg，所述第二子电子传输层中Mg的摩尔百分比为1％-20％。

11.根据权利要求1所述的量子点发光结构，其中，所述第二子电子传输层的掺杂浓度从所述第二子电子传输层靠近所述第一子电子传输层的一侧到所述第二子电子传输层靠近所述量子点发光层的一侧逐渐增大。

12.一种阵列基板，包括多个发光元件，

其中，至少一个所述发光元件采用根据权利要求1-11中任一项所述的量子点发光结构。

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述多个发光元件包括不同颜色的所述发光元件，不同颜色的所述发光元件中所述第二子电子传输层的掺杂浓度不同。

14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中，所述掺杂氧化锌薄膜的掺杂剂为Mg，所述多个发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件，所述红色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为1-5％，所述绿色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为5-10％，所述蓝色发光元件中的所述第二子电子传输层中Mg的掺杂浓度为10-20％。