[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法

权利要求书

1.一种用于三维(3D)NAND闪存的增量步进脉冲编程ISPP的编程方法，包括：

对所述3D NAND闪存的未选择位线的选择字线进行编程；

至少利用验证电压对所述选择字线执行第一验证过程；

确定用于所述选择字线的所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及

当所述第一验证电压高于所述默认电压时，去除所述ISPP的预脉冲阶段，所述ISPP被配置为利用编程验证操作在两次编程操作之间进行交错，所述编程验证操作包括所述预脉冲阶段；

其中，所述第一验证电压为紧随在所述第一验证过程之后的验证电压。

2.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

当所述第一验证电压低于或等于所述默认电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程。

3.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：

确定所述第一验证电压是否满足目标阈值电压。

4.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：

当所述第一验证电压不满足目标阈值电压时，对所述3D NAND闪存的所述选择字线进行编程；以及

对所述3D NAND闪存的所述选择字线执行第二验证过程。

5.根据权利要求4所述的编程方法，还包括：

当所述第二验证过程的第二验证电压满足所述目标阈值电压时，禁止所述3D NAND闪存的所述选择字线；

其中，所述第二验证电压为紧随在所述第二验证过程之后的验证电压。

6.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：

当所述第一验证电压满足所述目标阈值电压时，禁止所述3D NAND闪存的所述选择字线。

7.一种三维(3D)NAND闪存，具有多条位线，其中，所述多条位线包括多个字线(WL)层，所述3D NAND闪存包括：

选择位线；

至少一条未选择位线；以及

控制器，其被配置为对所述3D NAND的所述未选择位线的选择字线进行编程，至少利用验证电压对所述选择字线执行第一验证过程，确定用于所述选择字线的所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压，并且当所述第一验证电压高于所述默认电压时，去除ISPP的预脉冲阶段，所述ISPP被配置为利用编程验证操作在两次编程操作之间进行交错，所述编程验证操作包括所述预脉冲阶段；

其中，所述第一验证电压为紧随在所述第一验证过程之后的验证电压。

8.根据权利要求7所述的3DNAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压低于或等于所述默认电压时，对所述3DNAND闪存的所述选择字线进行编程。

9.根据权利要求7所述的3DNAND闪存，其中，所述控制器被配置为确定所述第一验证电压是否满足目标阈值电压。

10.根据权利要求9所述的3DNAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压不满足目标阈值电压时，对所述3DNAND闪存的所述选择字线进行编程，并对所述3D NAND闪存的所述选择字线执行第二验证过程。

11.根据权利要求10所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第二验证过程的第二验证电压满足所述目标阈值电压时，禁止所述3D NAND闪存的所述选择字线，其中，所述第二验证电压为紧随在所述第二验证过程之后的验证电压。

12.根据权利要求9所述的3D NAND闪存，其中，所述控制器被配置为当所述第一验证电压满足所述目标阈值电压时，禁止所述3D NAND闪存的所述选择字线。