[发明专利]非易失性存储器件及其控制方法有效
| 申请号： | 202080000895.2 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111712877B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 贾建权;樊堃 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 控制 方法 | ||
1.一种非易失性存储器件的控制方法，所述非易失性存储器件包括具有多个存储串的存储阵列，每个存储串包括串行连接的多个存储单元，所述控制方法包括：
在编程操作周期期间向连接至所述多个存储单元中的未选定存储单元的多个未选定字线施加通过电压信号；以及
在所述编程操作周期期间向连接至所述多个存储单元中的选定存储单元的选定字线施加编程电压信号，其中，所述编程电压信号在所述编程操作周期期间按照坡降的方式变化，所述编程操作周期的第二周期在第一周期之后并且在第三周期之前，并且其中，所述编程操作周期的所述第二周期中的所述编程电压信号的电压电平被设置为正常编程电压。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述编程操作周期的第一周期中的所述编程电压信号的电压电平大于所述编程操作周期的第二周期中的所述编程电压信号的电压电平。
3.根据权利要求2所述的控制方法，其中，所述编程操作周期的所述第二周期中的所述编程电压信号的所述电压电平大于所述编程操作周期的第三周期中的所述编程电压信号的电压电平。
4.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述编程电压信号的电压电平大于所述通过电压信号的电压电平。
5.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述非易失性存储器件是NAND闪速存储器。
6.一种非易失性存储器件，包括：
包括多个存储串的存储阵列，每个存储串包括串行连接的多个存储单元；
连接至所述多个存储串中的所述每个存储串的所述多个存储单元的多个字线，每个字线连接至相应的存储单元；以及
控制电路，其被配置为在编程操作周期期间向所述多个字线中的连接至所述多个存储单元中的未选定存储单元的未选定字线施加通过电压信号，以及在所述编程操作周期期间向所述多个字线中的连接至所述多个存储单元中的选定存储单元的选定字线施加编程电压信号，其中，所述编程电压信号在所述编程操作周期期间按照坡降的方式变化，所述编程操作周期的第二周期在第一周期之后并且在第三周期之前，并且其中，所述编程操作周期的所述第二周期中的所述编程电压信号的电压电平被设置为正常编程电压。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述编程操作周期的第一周期中的所述编程电压信号的电压电平大于所述编程操作周期的第二周期中的所述编程电压信号的电压电平。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述编程操作周期的所述第二周期中的所述编程电压信号的所述电压电平大于所述编程操作周期的第三周期中的所述编程电压信号的电压电平。
9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述编程电压信号的电压电平大于所述通过电压信号的电压电平。
10.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述非易失性存储器件为NAND闪速存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080000895.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
