[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底；

势垒层，其安置于所述衬底上方；

介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；

间隔件，其安置于所述第一凹部内；

栅极，其安置于所述间隔件的第一部分与所述间隔件的第二部分之间，其中所述栅极界定栅极凹部；和

第一保护层，其中所述第一保护层包括介于所述间隔件的所述第一部分与所述介电层之间的第一部分，且所述第一保护层包括介于所述间隔件的所述第一部分与所述势垒层之间的第二部分；

所述第一保护层的材料不同于所述间隔件的材料，且所述第一保护层包含位于所述间隔件的所述第一部分与所述介电层之间的弯曲表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极与所述势垒层直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极凹部是由所述栅极的第一弯曲表面和所述栅极的第二弯曲表面界定。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔件的所述第一部分和所述间隔件的所述第二部分从横截面视角界定锥形凹部。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述锥形凹部的尺寸在朝向所述势垒层的方向上逐渐减小。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述栅极处于所述锥形凹部内的第一部分包括第一长度，所述栅极处于所述锥形凹部内的第二部分包括第二长度，且所述第一长度大于所述第二长度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述间隔件的所述第一部分包括相对粗糙表面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述势垒层包括介于所述间隔件的所述第一部分与所述间隔件的所述第二部分之间的相对光滑表面。

9.一种半导体结构，其包括：

衬底；

势垒层，其安置于所述衬底上方；

介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；

栅极，其部分安置于所述第一凹部内，其中所述栅极的第一部分与所述介电层横向间隔开；

间隔件，其安置于所述第一凹部内，并位于所述栅极的安置于所述第一凹部内的所述部分与所述介电层之间，其中所述栅极的所述第一部分通过所述间隔件与所述介电层横向间隔开，且所述栅极的所述第一部分与所述势垒层通过所述栅极的安置于所述第一凹部内的所述部分间隔开；

保护层，其中所述保护层包括安置于所述间隔件与所述介电层之间的第一部分，且所述保护层包括安置于所述间隔件与所述势垒层之间的第二部分；和

所述保护层的材料不同于所述间隔件的材料，且所述保护层包含位于所述间隔件与所述介电层之间的弯曲表面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述栅极包括栅极凹部，且所述栅极凹部的尺寸在朝向所述势垒层的方向上逐渐减小。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述栅极包括由第一凸表面和第二凸表面界定的凹部。

12.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：

提供具有衬底、势垒层和第一介电层的半导体结构；

在所述第一介电层上形成具有第一长度的第一开口；

在所述第一开口内及所述第一介电层上形成保护层；

在所述第一开口内及所述保护层上形成第二介电层；

移除所述第二介电层的一部分，以便在所述第一开口内形成第一间隔件和第二间隔件，其中所述第一间隔件与所述第二间隔件之间的最小距离小于所述第一长度，其中所述第一间隔件和所述第二间隔件的材料不同于所述保护层的材料；和

移除所述保护层的一部分以暴露所述势垒层的表面及所述第一介电层的表面，且使所述保护层包含位于所述第一间隔件与所述第一介电层之间的弯曲表面。