[发明专利]用于4堆叠3D PCM存储器的新型分布式阵列和触点架构

权利要求书

1.一种三维存储器，包括：

在深度方向上堆叠的多层的存储单元，包括存储单元的底部单元层、存储单元的顶部单元层、以及存储单元的至少一个中间单元层，其中，存储单元的所述底部单元层布置成底部单元阵列块，存储单元的所述顶部单元层布置成在垂直方向上与所述底部单元阵列块对齐的顶部单元阵列块，并且存储单元的所述至少一个中间单元层布置成在所述垂直方向上与所述底部单元阵列块偏移的中间单元阵列块；

多条位线，其包括耦合到存储单元的所述底部单元层的底部单元位线、耦合到存储单元的所述顶部单元层的顶部单元位线、以及耦合到存储单元的所述至少一个中间单元层的中间单元位线；

多个位线触点，其包括连接到所述底部单元位线的底部单元位线触点、连接到所述顶部单元位线和所述底部单元位线的顶部单元位线触点、以及连接到所述中间单元位线并且位于所述底部单元阵列块之间的空间中的中间单元位线触点；

多条字线，其包括耦合到存储单元的所述底部单元层的底部单元字线、以及耦合到存储单元的所述至少一个中间单元层和存储单元的所述顶部单元层的中间单元字线；以及

多个字线触点，其包括连接到所述底部单元字线的底部单元字线触点、以及连接到所述中间单元字线和所述顶部单元字线并且位于所述底部单元阵列块之间的空间中的中间单元字线触点。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述中间单元阵列块在所述垂直方向上从所述底部单元阵列块偏移一半的块长度。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述顶部单元阵列块在水平方向上与所述底部单元阵列块相偏移。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其中，所述顶部单元阵列块在所述水平方向上从所述底部单元阵列块偏移一半的块宽度。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述位线触点分别连接到所述多条位线中的相应位线的垂直中部。

6.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述字线触点分别连接到所述多条字线中的相应字线的水平中部。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述至少一个中间单元层包括存储单元的第一中间单元层和存储单元的第二中间单元层。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，存储单元的所述第一中间单元层布置成在所述垂直方向上与所述底部单元阵列块偏移的第一中间单元阵列块，并且存储单元的所述第二中间单元层布置成在所述垂直方向上与所述第一中间单元阵列块对齐的第二中间单元阵列块。

9.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，存储单元的所述第一中间单元层布置成在水平方向上与所述底部单元阵列块对齐的第一中间单元阵列块，并且存储单元的所述第二中间单元层布置成在所述水平方向上与所述顶部单元阵列块对齐的第二中间单元阵列块。

10.根据权利要求7所述的三维存储器，其中，存储单元的所述第一中间单元层耦合到所述中间单元位线和所述底部单元字线，并且存储单元的所述第二中间单元层耦合到所述中间单元位线和所述中间单元字线。

11.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，除了触点区域之外，大部分字线和/或位线驱动器区域被存储单元占据。