[发明专利]用于存储器件中的数据擦除的方法和装置

说明书

本公开内容的各方面提供了一种用于存储器件中的数据擦除的方法。该方法包括：在存储单元串中的擦除操作期间，从存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子。第一擦除载流子沿第一方向从存储单元串的源极侧流向存储单元串的漏极侧。此外，该方法包括：从存储单元串的漏极侧的P‑N结处提供第二擦除载流子。第二擦除载流子沿第二方向从存储单元串的漏极侧流向存储单元串的源极侧。然后，该方法包括：将第一擦除载流子和第二擦除载流子注入到存储单元串中的存储单元的电荷存储部分。

技术领域

本公开内容的实施例涉及用于存储器件中的数据擦除的方法和装置。

背景技术

半导体存储器件可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件会在电源关闭时丢失数据。即使电源被断开，非易失性存储器件也可以保持存储的数据。为了实现较高的数据存储密度，半导体制造商开发了诸如三维(3D)NAND闪存技术等等之类的垂直器件技术。3DNAND闪存器件是一种类型的非易失性存储器件。

发明内容

本公开内容的各方面提供了一种用于存储器件中的数据擦除的方法。该方法包括：在用于重置在存储单元串中串联连接的存储单元的擦除操作期间，从所述存储单元串的主体部分提供第一擦除载流子。所述第一擦除载流子沿第一方向在所述存储单元串的源极侧与所述存储单元串的漏极侧之间流动。此外，该方法包括：在所述擦除操作期间，从所述存储单元串的所述漏极侧的P-N结处提供第二擦除载流子。所述第二擦除载流子沿与所述第一方向相反的第二方向流动。然后，该方法包括：在所述擦除操作期间，将所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子注入到所述存储单元串中的所述存储单元的电荷存储部分。所注入的第一擦除载流子和第二擦除载流子被存储在所述存储单元的所述电荷存储部分中。

在一些实施例中，所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子是空穴。为了提供所述第一擦除载流子，在一些实施例中，该方法包括：在存储单元串的源极侧浮置源极端子，并向与所述存储单元串的所述主体部分相对应的P型阱施加正电压。所述正电压使所述第一擦除载流子沿所述第一方向流动。

为了提供所述第二擦除载流子，该方法包括：相对于所述存储单元串中的第一选择晶体管的漏极端子，对所述第一选择晶体管的栅极端子进行负偏置。所述负偏置导致在所述存储单元串的所述漏极侧的P-N结处，由于所述P-N结处的带间隧穿而产生所述第二擦除载流子。在一些实施例中，所述第一选择晶体管是至所述存储单元串的所述漏极侧的最近选择晶体管，并且该方法还包括：相对于所述存储单元串中的与所述第一选择晶体管相邻设置的第二选择晶体管的漏极端子，对所述第二选择晶体管的栅极端子进行负偏置。

在一些实施例中，该方法包括：向所述存储单元串的所述漏极侧的漏极端子施加擦除电压；在所述第一选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述擦除电压的第一电压；以及在所述第二选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述第一电压的第二电压。

在一些实施例中，该方法包括：相对于所述存储单元串的所述源极侧处的第一选择晶体管的源极/漏极端子，对所述第一选择晶体管的栅极端子进行负偏置。所述负偏置导致在所述存储单元串的所述源极侧的P-N结处，由于所述P-N结处的带间隧穿而产生额外的擦除载流子。

在一个实施例中，所述第一选择晶体管是至所述存储单元串的所述源极侧的最近选择晶体管。然后，该方法包括：相对于所述存储单元串中的与所述第一选择晶体管相邻设置的第二选择晶体管的漏极端子，对所述第二选择晶体管的栅极端子进行负偏置。在一个示例中，该方法包括：施加第一电压，所述第一电压低于向所述存储单元串的所述P型阱施加的所述正电压，以及在所述第二选择晶体管的所述栅极端子上，施加低于所述第一电压的第二电压。

根据本公开内容的一个方面，在相同的擦除周期中，提供所述第一擦除载流子和所述第二擦除载流子。