[发明专利]电解铜箔、集电体、电极及包含其的锂离子二次电池

权利要求书

1.一种电解铜箔，其包含位于相反侧的一沉积面及一辊筒面，该沉积面及该辊筒面各自具有一残留应力，该沉积面的残留应力与该辊筒面的残留应力的差数的绝对值至多为95MPa，该沉积面的空隙体积(Vv)为0.15μm³/μm²至1.35μm³/μm²，且该电解铜箔的沉积面的峰度(Sku)为1.5至6.5。

2.如权利要求1所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的峰度(Sku)为1.6至6.2。

3.如权利要求2所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的峰度(Sku)为1.7至5.8。

4.如权利要求1所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的辊筒面的峰度(Sku)为1.5至6.5。

5.如权利要求1所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的空隙体积(Vv)为0.15μm³/μm²至1.30μm³/μm²。

6.如权利要求1所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的空隙体积(Vv)为0.16μm³/μm²至1.18μm³/μm²。

7.如权利要求6所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的空隙体积(Vv)为0.17μm³/μm²至1.11μm³/μm²。

8.如权利要求1所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的残留应力与该辊筒面的残留应力的差数的绝对值至多为85MPa。

9.如权利要求1至7中任一项所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的残留应力与该辊筒面的残留应力的差数的绝对值为5MPa至95MPa。

10.如权利要求9所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的残留应力与该辊筒面的残留应力的差数的绝对值为5MPa至60MPa。

11.如权利要求1至8中任一项所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的核心部空隙体积(Vvc)为0.14μm³/μm²至1.15μm³/μm²。

12.如权利要求1至8中任一项所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的沉积面的波谷部空隙体积(Vvv)至多为0.15μm³/μm²。

13.如权利要求1至8中任一项所述的电解铜箔，其中该电解铜箔的辊筒面的空隙体积(Vv)为0.15μm³/μm²至1.30μm³/μm²。

14.如权利要求1至8中任一项所述的电解铜箔，其中该电解铜箔包含一原箔及设置于该原箔上的一表面处理层，该辊筒面及该沉积面位于电解铜箔的最外侧。

15.一种锂离子二次电池的集电体，其包含如权利要求1至14中任一项所述的电解铜箔。

16.一种锂离子二次电池的电极，其包含如权利要求15所述的集电体及一活性物质，该活性物质涂覆在该集电体上。

17.一种锂离子二次电池，其包含如权利要求16所述的电极。