[发明专利]3D NAND闪速存储器件及其集成方法有效
| 申请号： | 202080001324.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111758160B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 顾沂;侯春源;李跃平;陈嘉伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11553;H01L27/11573;H01L27/11578;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 存储 器件 及其 集成 方法 | ||
1.一种用于3D NAND闪速存储器件的集成方法，包括：
在CMOS管芯上设置多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器；
在所述3D NAND闪速存储器件的所述CMOS管芯上设置至少一NOR闪速存储器；以及
将所述至少一NOR闪速存储器连接到所述3D NAND闪速存储器件的开放NAND闪存接口(ONFI)；
其中，所述至少一NOR闪速存储器设置于所述CMOS管芯的在所述多个3D TLC NAND闪速存储器之外的未使用区域上。
2.根据权利要求1所述的集成方法，还包括：
在所述3D NAND闪速存储器件的所述至少一NOR闪速存储器与所述ONFI之间连接数据通路逻辑单元。
3.根据权利要求1所述的集成方法，其中，所述至少一NOR闪速存储器经由所述ONFI读取和写入数据。
4.根据权利要求1所述的集成方法，其中，所述至少一NOR闪速存储器被配置为执行随机读取和随机写入。
5.根据权利要求1所述的集成方法，其中，所述至少一NOR闪速存储器没有错误控制编码。
6.根据权利要求1所述的集成方法，其中，所述至少一NOR闪速存储器与所述3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器共享所述ONFI。
7.根据权利要求1所述的集成方法，其中，所述CMOS管芯的所述未使用区域由在所述多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器中的各个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器之间的多个间隙构成。
8.一种集成于CMOS管芯上的3D NAND闪速存储器件，包括：
设置于所述CMOS管芯上的多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器；以及
设置于所述CMOS管芯上的至少一NOR闪速存储器，所述至少一NOR闪速存储器连接到所述3D NAND闪速存储器的开放NAND闪存接口(ONFI)；
其中，所述至少一NOR闪速存储器设置于所述CMOS管芯的在所述多个3D TLC NAND闪速存储器之外的未使用区域上。
9.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，在所述3DNAND闪速存储器的所述至少一NOR闪速存储器与所述ONFI之间连接数据通路逻辑单元。
10.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，所述至少一NOR闪速存储器经由所述ONFI读取和写入数据。
11.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，所述至少一NOR闪速存储器被配置为执行随机读取和随机写入。
12.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，所述至少一NOR闪速存储器没有错误控制编码。
13.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，所述至少一NOR闪速存储器与所述3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器共享所述ONFI。
14.根据权利要求8所述的3D NAND闪速存储器件，其中，所述CMOS管芯的所述未使用区域由所述多个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器中的各个3D三级单元(TLC)NAND闪速存储器之间的多个间隙构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
