[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
| 申请号： | 202080001507.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111937156A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张安邦;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
衬底；
第一氮化物半导体层，其处于所述衬底上；
第二氮化物半导体层，其处于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；
III-V族介电层，其安置于所述第二氮化物半导体层上；
栅电极，其安置于所述第二氮化物半导体层上；和
第一钝化层，其安置于所述III-V族介电层上，
其中所述III-V族介电层通过所述第一钝化层与所述栅电极间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层沿着所述III-V族介电层延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层覆盖所述III-V族介电层的侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层环绕所述III-V族介电层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层与所述III-V族介电层直接接触。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层与所述III-V族介电层的所述侧壁直接接触。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层在所述第二氮化物半导体层上延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层与所述栅电极直接接触。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一钝化层具有处于所述III-V族介电层和所述栅电极之间的第一长度，且其中所述第一长度在介于大约100nm和大约500nm之间的范围内。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一钝化层具有处于所述III-V族介电层和所述栅电极之间的第二长度，且其中所述第二长度不同于所述第一长度。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极与所述第二氮化物半导体层直接接触。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极包含阶梯状结构。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极包含漏斗状结构。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述III-V族介电层包含氮化铝AlN。
15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述III-V族介电层包含氮化硼BN。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述III-V族介电层不含氧。
17.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二氮化物半导体层的表面态密度在介于大约1010cm-2和大约1012cm-2之间的范围内。
18.根据权利要求1所述的半导体装置，其另外包括：
氧化物层，其安置于所述III-V族介电层与所述第一钝化层之间。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中所述氧化物层包括氮氧化铝AlON。
20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中所述氧化物层具有小于1nm的厚度。
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