[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。

技术领域

本揭露系关于一半导体装置及其制造方法，特别系关于具有超晶格层、经掺杂III-V族半导体层、及未经掺杂III-V族半导体层之一半导体装置及其制造方法。

背景技术

包括直接能隙(direct bandgap)半导体之组件，例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-V compounds)之半导体组件，由于其特性而可在多种条件或环境(例如不同电压、频率)下操作(operate)或运作(work)。

上述半导体组件可包括异质结双极晶体管(heterojunction bipolartransistor，HBT)、异质结场效晶体管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高电子迁移率晶体管(high-electron-mobility transistor，HEMT)，或调变掺杂场效晶体管(modulation-doped FET，MODFET)等。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种半导体装置，其包括半导体层、设置于所述半导体层上的第一经掺杂氮化物半导体层、设置于所述第一经掺杂氮化物半导体层上的第二经掺杂氮化物半导体层。所述半导体装置还包括位于所述半导体层及所述第一经掺杂氮化物半导体层之间的未经掺杂氮化物半导体层。所述未经掺杂氮化物半导体层具有与所述半导体层接触之第一表面及与所述第一经掺杂氮化物半导体层接触之第二表面。

本公开的一些实施例提供一种导体装置之制造方法。所述方法包括形成半导体层于基板上。所述半导体层具有顶部层。所述方法还包括形成未经掺杂氮化物半导体层于所述半导体层的顶部层上及形成经掺杂氮化物半导体层于所述未经掺杂氮化物半导体层上。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式容易理解本公开的各方面。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1所示为根据本案之某些实施例之一半导体装置之侧视图(side view)；

图2所示为根据本案之某些实施例之一半导体装置之局部放大图(partialenlarged view)；及

图3A、图3B、及图3C所示为制造根据本案之某些实施例的一半导体装置之若干操作。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。在本公开中，在以下描述中对第一特征形成在第二特征上或上方的叙述可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

下文详细论述本公开的实施例。然而，应了解，本公开提供的许多适用概念可实施在多种具体环境中。所论述的具体实施例仅仅是说明性的且并不限制本公开的范围。

直接能隙材料，例如III-V族化合物，可包括但不限于，例如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、砷化铟镓(InGaAs)、砷化铝镓(InAlAs)等。