[发明专利]温度传感器、电子设备和温度检测系统

权利要求书

1.一种温度传感器，其特征在于，包括：偏置电流产生电路、曲率补偿电流产生电路、基准电压产生电路和输出电压产生电路；

所述偏置电流产生电路分别与所述曲率补偿电流产生电路、所述基准电压产生电路和所述输出电压产生电路连接，所述曲率补偿电流产生电路与所述输出电压产生电路连接；

所述偏置电流产生电路，用于产生初始偏置电流，所述初始偏置电流与温度呈非线性关系；

所述曲率补偿电流产生电路，用于产生补偿电流，并输出至所述偏置电流产生电路和所述输出电压产生电路，以补偿所述初始偏置电流，得到零温度系数的偏置电流；

所述偏置电流产生电路，还用于将所述偏置电流输出至所述基准电压产生电路和所述输出电压产生电路；

所述基准电压产生电路，用于接收所述偏置电流，并根据所述偏置电流输出零温度系数的基准电压；

所述输出电压产生电路，用于接收所述偏置电流和所述补偿电流，并根据所述偏置电流和所述补偿电流，输出与温度呈线性关系的输出电压。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述初始偏置电流包括正温度系数电流、负温度系数电流，所述负温度系数电流与温度呈非线性关系，所述偏置电流包括正温度系数电流、负温度系数电流以及所述补偿电流，所述正温度系数电流、所述负温度系数电流和所述补偿电流之和为零温度系数电流。

3.根据权利要求2所述的温度传感器，其特征在于，所述偏置电流产生电路中包括：第一运算放大器、正温度系数电流产生模块、负温度系数电流产生模块、第一MOS管和第二MOS管；

所述第一运算放大器的输入端与所述正温度系数电流产生模块、所述负温度系数电流产生模块连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第一MOS管、所述第二MOS管连接；

所述正温度系数电流产生模块，用于产生所述正温度系数电流；

所述负温度系数电流产生模块，用于产生所述负温度系数电流；

通过所述第一MOS管和所述第二MOS管输出的电流为所述偏置电流。

4.根据权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述负温度系数电流产生模块包括：第一电阻和第二电阻；所述正温度系数电流产生模块包括第一双极性晶体管、第二双极性晶体管和第三电阻；

所述第一运算放大器的负向输入端分别与所述第一电阻的第一端、所述第一双极性晶体管的发射极连接，所述第一运算放大器的正向输入端分别与所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二双极性晶体管的发射极连接，所述第一电阻的第二端、所述第一双极性晶体管的基极、集电极、所述第二双极性晶体管的基极、集电极与所述第二电阻第二端均接地；

所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极、电源连接，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接，并与所述第一运算放大器输出端连接，所述第一MOS管的漏极与所述第一运算放大器的负向输入端连接，所述第二MOS管的漏极与所述第一运算放大器的正向输入端连接。

5.根据权利要求4所述的温度传感器，其特征在于，所述曲率补偿电流产生电路包括：第二运算放大器、第四电阻、第三双极性晶体管、第三MOS管；

所述第二运算放大器的正向输入端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第一运算放大器的正向输入端连接，所述第二运算放大器的负向输入端与所述第三双极性晶体管的发射极连接，所述第三双极性晶体管的基极、集电极接地；

所述第三MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第三MOS管的漏极与所述第四电阻的第一端连接。

6.根据权利要求5所述的温度传感器，其特征在于，所述偏置电流产生电路还包括：第四MOS管；

所述第四MOS管的源极与所述第一MOS管的源极连接，所述第四MOS管的栅极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第四MOS管的漏极与所述第二运算放大器的负向输入端连接。