[发明专利]堆叠式的芯片、制造方法、图像传感器和电子设备在审

专利信息
申请号: 202080001656.9 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111819689A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 陆斌;姚国峰;沈健 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/98;H01L27/146
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 孙涛;毛威
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 芯片 制造 方法 图像传感器 电子设备
【说明书】:

一种堆叠式的芯片、制造方法、图像传感器和电子设备,能够降低堆叠式芯片的制造成本。该一种堆叠式的芯片包括:载体单元,其中设置有第一容置结构,该第一容置结构为凹槽或通孔;第一晶片,设置于该第一容置结构中;再布线层,设置于该第一晶片上方;第一焊盘,设置于该再布线层上方,该第一焊盘通过该再布线层与该第一晶片电连接;第二晶片,堆叠于该载体单元和该第一晶片的上方,该第二晶片包括第二焊盘,该第二焊盘与该第一焊盘电连接,其中,该第二晶片的表面面积大于该第一晶片的表面面积。

技术领域

本申请涉及半导体芯片领域,并且更为具体地,涉及一种堆叠式的芯片、制造方法、图像传感器和电子设备。

背景技术

随着半导体和集成电路技术的发展,芯片的器件类型越来越丰富,集成度越来越高,在二维平面上,随着半导体工艺发展到某个极致程度,无法进一步提高芯片的性能,因此,目前业内提出了一种三维堆叠的概念,将芯片从二维扩展到三维,即将不同功能的芯片模块上下堆叠在一起进行封装,从而提高芯片的整体性能和良率。

在一种实现方式中,上层晶片(Die)和下层晶片通过晶圆级键合工艺(Wafer-level Bonding Process),以晶圆(Wafer)到晶圆的方式堆叠至一起,以形成堆叠式的三维芯片。为了满足堆叠的工艺要求,上层晶片和下层晶片具有相同的晶片尺寸,上层晶圆上上层晶片的数量与下层晶圆上晶片的数量相等,但当上层晶片和下层晶片不是同一类型的晶片时,该堆叠方式会造成晶圆面积的浪费,增加堆叠式芯片的制造成本。

因此,何如降低堆叠式芯片的制造成本,是一项亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种堆叠式的芯片、制造方法、图像传感器和电子设备,能够降低堆叠式芯片的制造成本。

第一方面,提供了一种堆叠式的芯片,包括:载体单元,其中设置有第一容置结构,该第一容置结构为凹槽或通孔;第一晶片,设置于该第一容置结构中;再布线层,设置于该第一晶片上方;第一焊盘,设置于该再布线层上方,该第一焊盘通过该再布线层与该第一晶片电连接;第二晶片,堆叠于该载体单元和该第一晶片的上方,该第二晶片包括第二焊盘,该第二焊盘与该第一焊盘电连接,其中,该第二晶片的表面面积大于该第一晶片的表面面积。

在本申请实施例中,通过载体单元中第一容置结构为第一晶片提供支撑和稳定,实现将大面积的第二晶片堆叠在小面积的第一晶片上,从而可以在实现堆叠芯片结构的同时,还能够在晶圆上尽可能多的制造小面积的第一晶片,降低单颗第一晶片的成本,从而降低整体的制造成本。此外,第一晶片不是以晶圆的方式与第二晶片进行键合,而是单颗的放入载体单元的第一凹槽中,可以在对第一晶片和第二晶片堆叠前,对第一晶片和第二晶片进行测试以筛选出性能良好的晶片,去除性能较差的晶片,提高整体芯片的良率,进一步降低整体的制造成本。此外,不同于晶圆级的键合方式,本申请中的方案,将单颗的第二晶片与载体单元中的第一晶片堆叠,不需要将堆叠的两个晶圆上所有的芯片进行对准,能够降低工艺的复杂度,从而提高芯片的制造效率。

在一种可能的实施方式中,该第二晶片的表面面积小于该载体单元的表面面积。

在一种可能的实施方式中,该芯片还包括:特定焊盘,设置于该再布线层上方,该特定焊盘通过该再布线层与该第一晶片电连接;该特定焊盘用于通过引线与该芯片所在的装置中的电路板连接。

在一种可能的实施方式中,该特定焊盘位于该第二晶片在垂直方向的投影之外。

在一种可能的实施方式中,该堆叠式的芯片为图像传感芯片;该第二晶片为像素晶片,该像素晶片包括像素阵列,用于接收光信号并转换为电信号;该第一晶片为逻辑晶片,该逻辑晶片包括信号处理电路,用于处理该电信号。

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