[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法

说明书

为了提供使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法，等离子体处理装置具备：配置于真空容器内部的处理室内的样品台；形成用于对其上方的晶圆进行处理的等离子体的等离子体形成空间以及在下方与所述等离子体形成空间连通的下部空间；配置于所述下部空间的底部的排气口；对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热的加热器；在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力的第一真空计；与配置于包围该下方的所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通的校正用的第二真空计；使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一以及第二真空计的输出来补正所述第一真空计的输出的补正机。

技术领域

本发明涉及使用在真空容器内的处理室形成的等离子体来对配置于该处理室内的半导体晶圆等基板状的样品进行处理的等离子体装置以及等离子体处理装置的工作方法，尤其涉及使用对处理室内部的压力进行探测的压力计的输出来调节处理室内的压力并处理所述样品的等离子体装置以及等离子体处理装置的工作方法。

背景技术

已知上述那样的等离子体处理装置中，以往用于调节处理室内的压力的压力计的输出伴随着装置的工作时间的经过或者稀少的处理个数的累计变大，而会从初始的状态进行变动。因此，如果达到规定的工作时间、样品的处理个数，则将用于调节样品的处理中的压力的压力计的输出与精度明确的基准用的其他压力计的输出进行比较，来补正用于调节样品的处理中的压力的压力计。

作为上述那样的以往的技术例，已知日本特开2004-273682号公报(专利文献1)中记载的内容。该现有技术中公开了如下技术：除了与处理室连接的控制用压力计之外，还利用与同处理室相连的空间连接的校正用压力计，从而不需要在大气压下进行的控制用的压力计的校正作业。此外，作为其他的例子，在日本特开2010-251464号公报(专利文献2)中公开了以下技术：通过使校正用压力计和在成膜处理时用于控制压力的控制用压力计的安装位置相同并使探测校正用的压力计和控制用的压力计的压力的条件相同，从而能在与实际进行成膜的处理的条件相接近的状态下进行控制用的压力计的零点校正，以高的精度实现处理中的压力的条件。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-273682号公报

专利文献2：日本特开2010-251464号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述现有技术中，由于对以下方面考虑不充分，因而产生了问题。

即，上述专利文献1处于使所连接的处理室与装载锁(load lock)室连通而成为一个空间的状态，专利文献2具备在处理室连接校正用压力计和处理室内部的压力的调节用的压力计这两者的结构。而且，均为以下的技术：在对处理室内部进行真空排气而减压到规定的真空度之后，将该处理室调节为多个不同的压力状态，在各个压力状态下对校正用的压力计的输出和处理室的压力调节用的压力计进行比较，使用其结果对压力调节用压力计的输出添加补正。

然而，在本现有技术中，没有考虑以下的情况：在将装载锁室与处理室之间的闸阀气密地闭塞的状态下，对装载锁室以及处理室进行排气并减压之后，再次打开闸阀而使两者的压力变为相同之后，对与装载锁室连接的校正用压力计和与处理室连接的压力调节用的压力计进行比较，在包含与在处理室内部实施的处理的条件相接近的接近于0的压力的状态、所谓高真空的压力的状态在内的多个压力的条件下，补正上述压力调节用的压力计的输出。产生了如下问题：在使用在压力变得更高的条件下进行校正的压力计时，使用该压力计调节的处理室的高真空度的压力的值变得不正确。