[发明专利]制备和分析薄膜的方法有效
申请号: | 202080001723.7 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN112041671B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 刘婧 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G01N23/2202 | 分类号: | G01N23/2202;G01N23/2251 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430223 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 分析 薄膜 方法 | ||
1.一种制备聚焦离子束(FIB)样本的方法,包括:
在衬底之上形成靶膜,所述靶膜具有小于与针对FIB要求的限制对应的阈值的厚度;
在所述靶膜之上形成支撑膜;以及
获得包括所述靶膜的一部分和所述支撑膜的一部分的所述FIB样本。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,获得所述FIB样本还包括:
执行FIB提离工艺,以从所述衬底去除所述支撑膜的所述一部分和所述靶膜的所述一部分;
将所述支撑膜的所述一部分减小到预定厚度。
3.根据权利要求2所述的方法,还包括:
在获得所述FIB样本之前,在所述支撑膜之上形成缓冲层,使得在所述FIB提离工艺期间,所述缓冲层的一部分将保留在所述支撑膜的所述一部分上,并且然后在将所述支撑膜的所述一部分减小到预定厚度之前,去除所述缓冲层的所述一部分,以保护所述支撑膜的所述一部分。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述缓冲层由与所述支撑膜不同的材料制成。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述缓冲层由具有至少1000nm的厚度的钨制成。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在获得所述FIB样本之后:
所述靶膜的所述一部分具有小于30nm的范围内的厚度;
所述支撑膜的所述一部分具有在10nm与50nm之间的预定厚度;并且
所述靶膜的所述一部分的横向尺寸在1μm×1μm与15μm×15μm之间。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述靶膜是金属材料;并且
所述支撑膜是与所述靶膜不同的材料。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述靶膜是钨或铜。
9.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述支撑膜是氧化硅。
10.一种在电子显微镜系统中分析样本的方法,包括:
在衬底之上形成靶膜,所述靶膜具有小于与针对FIB要求的限制对应的阈值的厚度;
在所述靶膜之上形成支撑膜;
获得包括所述靶膜的一部分和所述支撑膜的一部分的FIB样本;以及
在电子显微镜系统中分析所述靶膜的所获得的部分。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,获得所述FIB样本还包括:
执行FIB提离工艺,以从所述衬底去除所述靶膜的所述一部分和所述支撑膜的所述一部分;以及
将所述支撑膜的所述一部分减小到预定厚度。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:
在获得所述FIB样本之前,在所述支撑膜之上形成缓冲层,使得在所述FIB提离工艺期间,所述缓冲层的一部分将保留在所述支撑膜的所述一部分上,并且然后在将所述支撑膜的所述一部分减小到预定厚度之前,去除所述缓冲层的所述一部分,以保护所述支撑膜的所述一部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述缓冲层由与所述支撑膜不同的材料制成。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述缓冲层由具有至少1000nm的厚度的钨制成。
15.根据权利要求11所述的方法,其中,所述靶膜的所获得的部分是所述靶膜的平面视图截面。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,在电子显微镜系统中分析所述靶膜的所获得的部分还包括:
通过透射菊池衍射分析所述靶膜的所获得的部分,其中所述靶膜的所获得的部分面向检测器,并且剩余的所述支撑膜面向电子枪。
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