[发明专利]半导体结构和其制造方法

说明书

提供一种半导体结构和其制造方法所述半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包括元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。

技术领域

本公开涉及一种半导体结构，且更具体地说，涉及一种具有在电极下方形成的纳米阵列结构的半导体结构。

背景技术

包含直接带隙半导体的组件(例如，包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V化合物)的半导体组件)可在多种条件下或在多种环境中(例如，在不同电压和频率下)操作或工作。

半导体装置可包含二极管、异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、经调制掺杂FET(MODFET)等。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包含元素，其中，所述电极安置在所述第一凹部和所述第二凹部中。

根据本公开的一些实施例，一种制造半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成氮化物半导体层；去除所述氮化物半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部；以及用导电材料填充所述第一凹部和所述第二凹部。

根据本公开的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；以及电极，其安置在所述氮化物半导体层上且包含元素，所述电极包含延伸到所述氮化物半导体层中的第一突出部和第二突出部，其中所述第一突出部具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，且所述第二突出部具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述氮化物半导体层包含邻近所述第一突出部的所述第一侧的第一位错和邻近所述第二突出部的所述第一侧的第二位错，其中所述第一位错包含邻近所述第一突出部的所述第一侧的第一部分和远离所述第一突出部的所述第一侧的第二部分，且所述第一位错的所述第一部分包含所述电极的所述元素，且其中所述第二位错包含邻近所述第二突出部的所述第一侧的第一部分和远离所述第二突出部的所述第一侧的第二部分，且所述第二位错的所述第一部分包含所述电极的所述元素。

根据本公开的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一氮化物半导体层，其安置在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙，所述第二氮化物半导体层包含第一突出部和第二突出部；以及电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上且包含元素；其中所述电极包围所述第一突出部和所述第二突出部。

根据本公开的一些实施例，一种制造半导体结构的方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成氮化物半导体层；去除所述氮化物半导体层的一部分以形成第一突出部和第二突出部；以及将电极提供于所述氮化物半导体层上且包围所述第一突出部和所述第二突出部。

附图说明

当结合附图阅读时，易于根据以下详细描述理解本公开的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可能任意增大或减小了各种特征的尺寸。

图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体结构的俯视图；

图1B说明根据本公开的一些实施例的另一半导体结构的俯视图；

图1C说明根据本公开的一些实施例的另一半导体结构的俯视图；

图2A说明跨如图1A中展示的线AA'的半导体结构横截面图；