[发明专利]用于以较低成本形成垂直3D X-POINT存储器的新颖集成方案

权利要求书

1.一种三维存储堆叠体，包括：

多个纵向延伸的垂直柱，其包括与电介质层垂直交替的金属层，所述金属层提供字线；以及

垂直地沿所述柱的横向侧面延伸的位线，其中，纵向方向垂直于垂直方向，并且横向方向垂直于所述垂直方向和所述纵向方向。

2.根据权利要求1所述的存储堆叠体，其中，纵向相邻并且横向对齐的位线是通过电介质材料的块在所述纵向方向上隔开的。

3.根据权利要求1所述的存储堆叠，其中，每个堆叠体中的金属层横向地比垂直地相邻的氧化物层要窄。

4.根据权利要求3所述的存储堆叠体，其中，在每个堆叠体中的金属层的横向侧面上提供存储单元，并且所述存储单元延伸为与所述柱的横向侧面平齐并且接触所述位线。

5.根据权利要求4所述的存储堆叠体，其中，每个存储单元包括相变材料元件和双向阈值开关元件。

6.根据权利要求4所述的存储堆叠体，其中，电介质块延伸到所述柱的每个横向侧面内，并且在所述纵向方向上将垂直并且横向地对准的纵向相邻存储单元隔开。

7.根据权利要求1所述的存储堆叠体，其中，所述平面氧化物隔离物跨越每个柱的横向居中平面垂直且纵向地延伸。

8.一种用于形成三维存储堆叠体的方法，包括：

沉积交替的氧化物层和氮化物层以形成垂直堆叠体，其中，垂直方向垂直于横向方向，并且纵向方向垂直于所述垂直方向和所述横向方向；

从所述垂直堆叠体中切割出平行的纵向缝隙以提供多个纵向延伸的垂直柱；

通过去除所述氮化物层来在所述氧化物层之间提供清空的空间；

在所述氧化物层之间的所述清空的空间中设置纵向延伸的字线，其中，所述字线横向地比所述氧化物层要窄；

在所述字线的横向侧面上设置存储单元，所述存储单元延伸至与所述柱的横向侧面平齐；

在所述柱的所述横向侧面上在所述缝隙内设置垂直延伸的字线。

9.根据权利要求8所述的方法，包括：

穿过所述存储堆叠体切割出垂直狭槽，所述狭槽横向地比所述缝隙宽并且与所述缝隙横向对齐；以及

在切割所述缝隙之前利用电介质块填充所述狭槽。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述设置所述字线的步骤包括：

利用金属填充在所述氧化物层之间的所述清空的空间；

蚀刻所述金属，使得所述金属的在所述柱的所述横向侧面上的任何金属被去除，由此创建在所述柱中与所述氧化物层垂直交替的所述金属的分立层；以及

对所述金属的所述分立层进行蚀刻，使得所述金属的所述分立层从所述柱的所述横向侧面横向向内凹陷。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述设置所述存储单元的步骤包括：

在所述堆叠体上沉积相变材料，使得所述相变材料在所述氧化物层之间延伸，之后蚀刻掉在所述柱的所述横向侧面上的任何相变材料；以及

在所述堆叠体上沉积双向阈值开关材料，使得所述双向阈值开关材料在所述氧化物层之间延伸，之后蚀刻掉在所述柱的所述横向侧面上的任何双向阈值开关材料。