[发明专利]闪速存储器设备

权利要求书

1.一种半导体存储设备，包括：

存储单元阵列，其包括多个存储单元；以及

外围电路，其与所述存储单元阵列耦合，所述外围电路包括：

可编程逻辑电路，其被配置为在所述半导体存储设备上电之后执行逻辑功能。

2.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述存储单元阵列包括非易失性存储单元，所述非易失性存储单元存储用于配置所述可编程逻辑电路的配置信息。

3.根据权利要求2所述的半导体存储设备，其中，所述外围电路被配置为在所述半导体存储设备上电时，从所述存储单元阵列加载所述配置信息，以及根据所述配置信息来配置所述可编程逻辑电路。

4.根据权利要求3所述的半导体存储设备，其中，用于配置所述可编程逻辑电路的所述配置信息是存储在所述存储单元阵列的初始化分区中的，所述初始化分区中的信息是响应于对所述半导体存储设备的上电而被读取的。

5.根据权利要求3所述的半导体存储设备，其中，所述可编程逻辑电路至少包括用于多个逻辑输入的查找表，所述查找表包括将所述逻辑输入的二进制组合分别与随机存取存储单元相关联的条目。

6.根据权利要求5所述的半导体存储设备，其中，所述外围电路被配置为在所述半导体存储设备上电时，根据所述配置信息将值存储到所述随机存取存储单元中。

7.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述可编程逻辑电路被配置为执行以下各项中的至少一项：

对用于所述存储单元阵列的字线偏置设置的确定；

对用于编程/擦除/读取所述存储单元阵列的电压电平的计算；

内置自测(BIST)功能；

错误检测和纠正功能；以及

在文件系统与所述存储单元阵列之间的地址转换。

8.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述存储单元阵列和所述外围电路是在垂直于衬底表面的方向上堆叠的。

9.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中：

所述存储单元阵列是布置在第一管芯上的；以及

所述外围电路是布置在与所述第一管芯导电地耦合的第二管芯上的。

10.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述外围电路被配置为从在所述半导体存储设备外部的源接收配置信号，以及根据所述配置信号来配置所述可编程逻辑电路。

11.一种用于形成半导体存储设备的方法，包括：

确定用于可编程逻辑电路的逻辑功能，所述可编程逻辑电路是布置在用于所述半导体存储设备中的存储单元阵列的外围电路中的，所述存储单元阵列包括非易失性存储单元；

确定用于配置所述可编程逻辑电路以执行所述逻辑功能的配置信息；以及

将所述配置信息存储在所述非易失性存储单元中，所述配置信息用于当所述半导体存储设备上电时配置所述可编程逻辑电路。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

将用于配置所述可编程逻辑电路的所述配置信息存储在所述存储单元阵列的初始化分区中，所述初始化分区中的信息是响应于对所述半导体存储设备的上电而被读取的。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述可编程逻辑电路中存储所述配置信息用于配置至少查找表，所述查找表包括将逻辑输入的二进制组合分别与随机存取存储单元相关联的条目。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

响应于对所述半导体存储设备的上电，将所述配置信息从所述存储单元阵列读取到所述外围电路；以及

根据所述配置信息，将值存储到所述随机存取存储单元中。