[发明专利]自旋元件及储备池元件在审
申请号: | 202080001916.2 | 申请日: | 2020-01-24 |
公开(公告)号: | CN113632239A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 滨中幸祐;佐佐木智生;盐川阳平 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L29/82 | 分类号: | H01L29/82;G06N3/063;H01L43/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自旋 元件 储备 | ||
1.一种自旋元件,其特征在于,
具备:
配线;
层叠体,其层叠于所述配线上,包含第一铁磁性层;
第一导电部和第二导电部,从层叠方向俯视时,所述第一导电部和所述第二导电部夹着所述第一铁磁性层;以及
第一中间层,其在所述第一导电部和所述配线之间与所述配线相接,
构成所述第一中间层的第二元素相对于构成所述配线的第一元素的扩散系数比构成所述第一导电部的第三元素相对于所述第一元素的扩散系数小,
或者,
所述第三元素相对于所述第二元素的扩散系数比所述第三元素相对于所述第一元素的扩散系数小。
2.根据权利要求1所述的自旋元件,其特征在于,
所述第一元素、所述第二元素及所述第三元素是互不相同的元素,
所述第一元素是选自Au、Hf、Mo、Pt、W、Ta中的任一个,
所述第二元素是选自Co、Al、Ag、Au、Mo、Hf、Pt、W、Ta中的任一个,
所述第三元素是选自Ag、Cu、Co、Al、Au中的任一个。
3.一种自旋元件,其特征在于,
具备:
配线;
层叠体,其层叠于所述配线上,包含第一铁磁性层;
第一导电部和第二导电部,从层叠方向俯视时,所述第一导电部和所述第二导电部夹着所述第一铁磁性层;以及
第一中间层,其在所述第一导电部和所述配线之间与所述配线相接,
所述配线包含选自Au、Hf、Mo、Pt、W、Ta中的任一个作为第一元素,
所述第一中间层包含第二元素,
所述第一导电部包含第三元素,
在所述第一元素是Au且所述第三元素是Cu的情况下,所述第二元素是选自Ag、Co、Hf中的任一个,
在所述第一元素是Au且所述第三元素是Ag的情况下,所述第二元素是Co或Hf,
在所述第一元素是Au且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是Hf,
在所述第一元素是Hf且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是Al,
在所述第一元素是Mo且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是W,
在所述第一元素是Pt且所述第三元素是Al的情况下,所述第二元素是选自Au、Ag、Co中的任一个,
在所述第一元素是Pt且所述第三元素是Au的情况下,所述第二元素是Ag或Co,
在所述第一元素是Pt且所述第三元素是Ag的情况下,所述第二元素是Co,
在所述第一元素是Ta且所述第三元素是Al的情况下,所述第二元素是Hf,
在所述第一元素是W且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是选自Hf、Mo中的任一个,
在所述第一元素是Au且所述第三元素是Ag的情况下,所述第二元素是Pt,
在所述第一元素是Au且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是选自Pt、Mo、W中的任一个,
在所述第一元素是Hf且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是选自Au、Pt、Mo、W中的任一个,
在所述第一元素是Mo且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是W,
在所述第一元素是Pt且所述第三元素是Al的情况下,所述第二元素是Ta或Hf,
在所述第一元素是Pt且所述第三元素是Co的情况下,所述第二元素是Mo或W,
在所述第一元素是Ta且所述第三元素是Al的情况下,所述第二元素是Hf。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的自旋元件,其特征在于,
所述第一中间层的周长比所述第一导电部的周长小,
从所述层叠方向俯视时,所述第一中间层内包于所述第一导电部。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的自旋元件,其特征在于,
所述第一中间层的周长比所述第一导电部的周长小,
从所述层叠方向俯视时,所述第一中间层的几何中心和所述第一铁磁性层的几何中心的距离比所述第一导电部的几何中心和所述第一铁磁性层的几何中心的距离短。
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