[发明专利]表面处理铜箔及铜箔基板

权利要求书

1.一种表面处理铜箔，其特征在于，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)为0.4至2.2μm³/μm²，且所述处理面的峰度(Sku)为1.6至4.0，所述空隙体积(Vv)是根据标准ISO 25178-2：2012的定义，在负载率(mr)10％至100％区间所计算的值。

2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的算术平均波度(Wa)小于或等于0.40μm。

3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的峰度(Sku)为2.0至4.0。

4.如权利要求3所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的算术平均波度(Wa)为0.10至0.40μm。

5.如权利要求4所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的空隙体积(Vv)为0.4至1.9μm³/μm²，且所述处理面的算术平均波度(Wa)为0.10至0.30μm。

6.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的核心部空隙体积(Vvc)为0.3至2.1μm³/μm²。

7.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述处理面的波谷部空隙体积(Vvv)为0.01至0.10μm³/μm²。

8.如权利要求1至7中任一项所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理铜箔进一步包括：

一主体铜箔；以及

一表面处理层，设置于所述主体铜箔的至少一表面，其中，所述表面处理层的外侧为所述处理面。

9.如权利要求8所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述主体铜箔为压延铜箔。

10.如权利要求8所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述主体铜箔为电解铜箔，且包括一辊筒面以及一沉积面，所述表面处理层设置在所述辊筒面。

11.如权利要求10所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理层包括一子层，所述子层为粗化层。

12.如权利要求11所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述表面处理层还进一步包括至少一个其他的子层，所述至少一个其他的子层选自由钝化层及耦合层所构成的群组。

13.如权利要求12所述的表面处理铜箔，其特征在于，所述钝化层包含至少一金属，所述金属选自由镍、锌、铬、钴、钼、铁、锡及钒所构成的群组。

14.一种铜箔基板，其特征在于，包括：

一载板；以及

一表面处理铜箔，设置于所述载板的至少一表面，其中所述表面处理铜箔包括面向所述载板的一处理面，且所述处理面的空隙体积(Vv)为0.4至2.2μm³/μm²，所述处理面的峰度(Sku)为1.6至4.0，所述空隙体积(Vv)是根据标准ISO 25178-2：2012的定义，在负载率(mr)10％至100％区间所计算的值。

15.如权利要求14所述的铜箔基板，其特征在于，所述表面处理铜箔的所述处理面直接接触所述载板。