[发明专利]具有屏蔽结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一管芯，所述第一管芯包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的第一侧形成的晶体管；

连接结构，所述连接结构延伸穿过所述半导体衬底并导电地连接被设置在所述半导体衬底的第一侧上的第一导电层和被设置在所述半导体衬底的与所述第一侧相对的第二侧上的第二导电层；以及

屏蔽结构，所述屏蔽结构被设置在所述半导体衬底中并且在所述连接结构与至少晶体管之间，所述屏蔽结构包括第三导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构包括：

在所述半导体衬底中形成的贯穿衬底触点；以及

在所述半导体衬底的所述第一侧形成并与所述贯穿衬底触点导电地连接的正面触点，所述正面触点与被设置在所述半导体衬底的所述第一侧上的图案化第一导电层导电地连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构被配置为：包封所述半导体衬底中的所述贯穿衬底触点。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构被配置为：在所述半导体衬底中延伸与所述贯穿衬底触点基本上相同的深度范围。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构中的所述第三导电层具有与所述贯穿衬底触点中的导电材料相同的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述屏蔽结构包括被设置在所述第三导电层与所述半导体衬底之间的绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述屏蔽结构的宽度大于所述第三半导体层与所述半导体衬底之间的所述绝缘材料的厚度的两倍。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三导电层导电地耦合到所述第二半导体层的在操作期间接收恒定电压的部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第三导电层导电地耦合到所述第二半导体层的在操作期间连接到地的所述部分。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

与所述第一管芯堆叠的第二管芯，所述第二管芯包括存储器单元，其中，用于所述存储器单元的外围电路是由所述第一管芯上的所述晶体管形成的。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

从管芯的第一侧在所述管芯的半导体衬底上设置晶体管；

形成连接结构，所述连接结构延伸穿过所述半导体衬底并导电地连接被设置在所述管芯的所述第一侧上的第一导电层和被设置在所述管芯的与所述第一侧相对的第二侧上的第二导电层；以及

在所述半导体衬底中并且在所述连接结构与至少晶体管之间形成屏蔽结构，所述屏蔽结构包括第三导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述连接结构还包括：

从所述管芯的所述第一侧在所述半导体衬底的第一侧形成正面触点，所述正面触点与被设置在所述管芯的所述第一侧上的所述第一导电层导电地连接；以及

从所述管芯的所述第二侧在所述半导体衬底中形成贯穿衬底触点，所述贯穿衬底触点与所述正面触点导电地连接。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述屏蔽结构还包括：

从所述管芯的所述第二侧形成所述屏蔽结构，所述屏蔽结构包封所述半导体衬底中的所述贯穿衬底触点。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在相同处理步骤中从所述管芯的所述第二侧形成用于所述贯穿衬底触点的孔和用于所述屏蔽结构的沟槽。