[发明专利]热塑性树脂膜

说明书

本发明提供一种用于半导体制造工序的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，上述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，上述第1树脂成分的结晶度超过上述树脂复合体整体的5.0％。

技术领域

本发明涉及一种胶带用基材膜，其为用于半导体制造工序的涂布有粘着层的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。

背景技术

作为结晶性热塑性树脂的聚醚醚酮树脂由于耐热性、刚性等优异而被用于印刷电路板的基板、电子部件的载带、图像形成装置的半导电带等电子部件中。例如提出了下述方案：通过将含有聚醚醚酮和聚醚砜作为树脂成分的树脂组合物构成的耐热性膜用于图像形成装置的半导电带，能够制成除了耐热性外还具有优异的耐弯曲疲劳性的半导电带(专利文献1)。

另一方面，在切割半导体晶片前，为了半导体晶片的薄型化而进行背面研磨工序，利用半导体制造工序用带对半导体晶片进行保护，以免受研磨的损害。另外，对切割半导体晶片得到的半导体芯片进行拾取时，通常，在拾取前为了扩大半导体芯片的间隔而进行将半导体制造工序用带扩展的扩展工序。另外，在拾取半导体芯片时，利用紫外线使涂布到半导体制造工序用带上的粘着层固化，使粘着层的粘着性降低。因这些工序，以往在半导体制造工序中使用的半导体制造工序用带多将拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性等优异的聚烯烃/聚酯系树脂作为基材膜。

另一方面，近年来，半导体器件的多芯片化推进，在其制造工序内有时导入以260℃左右的热对工件进行加热处理的回焊工序。但是，上述聚烯烃/聚酯系树脂不具有可承受回焊工序的耐热性。因此，为了应对回焊工序，导入了以具有耐热性的聚酰亚胺作为基材膜的半导体制造工序用带。但是，聚酰亚胺膜在拉伸时的伸长特性、紫外线透过性、耐擦伤性、吸水率等方面存在问题，具有在半导体制造工序中无法适用于回焊工序以外的工序的问题。

因此，在半导体制造工序中，在回焊工序与背面研磨工序、切割工序和拾取工序等回焊工序以外的工序之间需要半导体制造工序用带的更换粘贴操作。半导体制造工序用带的更换粘贴操作会导致半导体制造工序的工时增大和繁杂化，引起半导体器件的制造成品率降低。因此，在需要导入回焊工序的半导体器件的制造中，存在制造成本增大等问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-266418号公报

发明内容

发明所要解决的课题

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种用于半导体制造工序的胶带用基材膜，其能够用于包括回焊工序的多个工序。

用于解决课题的手段

本发明的构成要点如下。

[1]一种热塑性树脂膜，其为第1树脂成分与玻璃化转变温度为150℃以上的第2树脂成分的树脂复合体，上述第1树脂成分为具有290℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂，上述第1树脂成分的结晶度超过上述树脂复合体整体的5.0％。

[2]如[1]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第1树脂成分包含选自由聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮和脂肪族聚酮组成的组中的至少一种树脂。

[3]如[1]或[2]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第2树脂成分包含芳香族聚酯树脂。

[4]如[1]或[2]所述的热塑性树脂膜，其中，上述第2树脂成分包含具有醚键的非晶质热塑性树脂。

[5]如[1]～[4]中任一项所述的热塑性树脂膜，其中，上述树脂复合体由基体部和局域部构成，上述基体部包含上述第1树脂成分，上述局域部包含以分散的形式含有在该基体部中的上述第2树脂成分。