[发明专利]一种发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一衬底，衬底厚度不小于200μm，在衬底上依次制作第一发光半导体层、有源层、第二发光半导体层，与第一发光半导体层电连接的第一电连接层，与第二发光半导体层电连接的第二电连接层；

（2）从衬底远离第一发光半导体层的一侧的待切割位置的不同深度上，进行m次隐形激光切割，其中m不小于1的整数；

（3）从衬底远离第一发光半导体层的一侧，进行图形制作，其中衬底待切割位置不做图形，其中无图形的宽度为10μm至40μm；

（4）从衬底的待切割位置的不同深度上进行n次隐形激光切割，该n次切割的深度小于m次切割的深度，其中n不小于1的整数；

（5）经分割工艺，分割成多颗发光二极管芯粒。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，有源层的发光波长介于210 nm至280nm，或者280nm至360nm。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底为透明或者半透明材料。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底材料包括蓝宝石、玻璃、氮化镓或者碳化硅。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底厚度不小于400μm。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底厚度不小于600μm。

7.根据权利要求5或6所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底在远离第一发光半导体层的一侧的无图形区域宽度为10μm至30μm。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，衬底上具有多个无图形区域。

9.根据权利要求8所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，无图形区域在衬底上为网格状分布。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，分割工艺为劈裂工艺。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，其中m为不小于3的整数。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，图形是尺寸为200nm*200nm至1000nm*1000nm的衬底凸起。

13.根据权利要求12所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，图形为圆锥形或者类圆锥形。

14.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，m次和n次切割的深度依次从深到浅。

15.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于，图形制作采用湿法蚀刻、干法蚀刻或者压印技术制作衬底图形。