[发明专利]发光装置及发光设备有效
| 申请号： | 202080002647.1 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN112204760B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 饶海林;黄少华;曾晓强;杨力勋;李水清;蔡琳榕 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/54;H01L33/62 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 设备 | ||
1.一种发光装置，其特征在于：包括：
支架，具有相对的第一表面和第二表面，设置有始起所述第一表面并沿厚度方向延伸的凹槽，所述凹槽内具有用于安装LED芯片的芯片安装区，及第一焊线区和第二焊线区，所述芯片安装区、第一焊线区和第二焊线区彼此电性隔离；
LED芯片，设置在所述芯片安装区的表面上，其发光角度为135°以下，包含基板及形成于所述基板之上的半导体外延叠层、及位于所述半导体外延叠层的外侧的第一电极及第二电极，其中第一电极电连接到第一焊线区，第二电极电连接至第二焊线区；
挡光层，填充所述凹槽内非发光区域，并覆盖所述LED芯片的侧表面；
并且，所述LED芯片的顶表面、所述支架的第一表面和所述挡光层的顶表面三者之间的高度差为10μm以下；
所述发光装置的发光面积小于或者等于所述LED芯片的顶表面的面积。
2.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：还包括至少一条金属引线，连接所述LED芯片的第一电极和/或者第二电极至支架的第一焊线区和/或第二焊线区，所述挡光层覆盖所述金属引线。
3.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述发光装置的发光面积为所述凹槽的顶部横截面积的20%以下。
4.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片的发光中心与所述发光装置的几何中心重合。
5.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片还包括一位于所述半导体外延叠层之上的波长转换层，所述波长转换层的厚度为50~150μm。
6.根据权利要求5所述的一种发光装置，其特征在于：所述波长转换层为仅局部覆盖所述半导体外延叠层，所述挡光层覆盖未被所述波长转换层覆盖的半导体外延叠层的表面。
7.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片还包括一位于所述半导体外延叠层与所述基板之间的反射层。
8.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片的顶表面与所述支架的第一表面齐平。
9.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述挡光层为反光层或者吸光层。
10.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述挡光层的上表面不低于所述LED芯片的出光面。
11.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述发光装置的驱动电流密度大于2A/mm2。
12.一种发光设备，包括至少一个根据上述权利要求1~11中任一项所述的发光装置。
13.根据权利要求12所述的发光设备，其特征在于：所述发光设备用于显示设备的背光照明，其混光距离为15mm以下。
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