[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上；以及

第一导电结构，所述第一导电结构安置在所述第二氮化物半导体层上，

其中所述第一导电结构充当晶体管的漏极和源极中的一个以及二极管的阳极和阴极中的一个。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一导电结构限定所述晶体管的所述漏极和所述二极管的所述阴极。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括：

第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第二氮化物半导体层上并且限定所述晶体管的所述漏极和所述源极中的另一个；以及

第三导电结构，所述第三导电结构位于所述第二氮化物半导体层上并且限定所述二极管的所述阳极和所述阴极中的另一个。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第三导电结构位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其进一步包括第四导电结构，所述第四导电结构安置在所述第二氮化物半导体层上并且限定所述晶体管的栅极，其中所述第四导电结构与第三导电结构之间的距离小于所述第四导电结构与所述第一导电结构之间的距离。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其进一步包括掺杂半导体层，所述掺杂半导体层位于所述第四导电结构与所述第二氮化物半导体层之间。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二导电结构电连接到所述第三导电结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层限定电子沟道区域，所述电子沟道区域位于所述第一氮化物半导体层内并且邻近位于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的接口。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述晶体管是高电子迁移率晶体管HEMT，并且所述二极管是肖特基势垒二极管SBD。

10.一种半导体结构，其包括：

第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层具有第一表面；

晶体管，所述晶体管具有所述第一氮化物半导体层的所述第一表面上的漏极和源极；以及

二极管，所述二极管具有所述第一氮化物半导体层的所述第一表面上的阳极和阴极，

其中所述二极管的所述阳极和所述阴极在与所述第一氮化物半导体层的所述第一表面基本上平行的方向上布置。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述晶体管的所述漏极和所述二极管的所述阴极共享第一导电结构。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其进一步包括：

第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第一氮化物半导体层的所述第一表面上并且限定所述晶体管的所述源极；

第三导电结构，所述第三导电结构位于所述第一氮化物半导体层的所述第一表面上并且限定所述二极管的所述阳极；以及

第四导电结构，所述第四导电结构位于所述第一氮化物半导体层的所述第一表面之上并且限定所述晶体管的栅极，

其中所述第四导电结构与第三导电结构之间的距离小于所述第四导电结构与所述第一导电结构之间的距离。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其进一步包括掺杂半导体层，所述掺杂半导体层位于所述第四导电结构与所述第一氮化物半导体层的所述第一表面之间。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述第二导电结构电连接到所述第三导电结构。