[发明专利]用于测试半导体装置的装置和方法

说明书

本公开涉及一种测试电路及其操作方法。所述测试电路包含第一电路和第二电路。所述第一电路具有第一电容器和第二电容器。所述第一电路被配置成将跨所述第一电容器的第一电压的至少一部分传递到所述第二电容器。所述第二电路具有所述第一电容器和所述第二电容器。所述第二电路被配置成将跨所述第二电容器的第二电压的至少一部分传递到所述第一电容器。

技术领域

本公开涉及一种用于测试半导体装置的装置及其操作方法。

背景技术

可靠性对于半导体装置很重要。为了确保安全性和可靠性，可在不同温度、电流和电压下对半导体装置执行各种测试。通常，降压电路测试和升压电路测试常用于测试半导体装置。此外，可执行老化测试来确保长期操作期间半导体装置的可靠性。此外，可执行开关安全操作区域(SSOA)测试来确保开关过程期间半导体装置承受压力和电流应力的能力。

为了在半导体装置上执行各种测试，可能使用许多单独的测试电路，这会增加测试半导体装置的时间、成本和复杂性。因此，需要提供一种测试电路和方法来对半导体装置有效地执行各种测试。

发明内容

在一些实施例中，一种测试电路包含第一电路和第二电路。第一电路具有第一电容器和第二电容器。第一电路被配置成将跨第一电容器的第一电压的至少一部分传递到第二电容器。第二电路具有第一电容器和第二电容器。第二电路被配置成将跨第二电容器的第二电压的至少一部分传递到第一电容器。

在一些实施例中，一种用于测试第一晶体管和第二晶体管的方法包含：在第一时间周期期间通过将第一电容器的第一电压的至少一部分传递到第二电容器而对第一晶体管执行升压电路测试；以及在第二时间周期期间通过将第二电容器的第二电压的至少一部分传递到第一电容器而对第二晶体管执行降压电路测试。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下具体实施方式最佳地理解本公开的一些实施例的各方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且出于论述清楚起见，可任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1示出根据本公开的一些实施例的测试电路的示意图。

图2A示出根据本公开的一些实施例如图1中所示出在升压电路模式中操作的测试电路的示意图。

图2B示出根据本公开的一些实施例如图2A中所示出的测试电路的晶体管的栅极处的电压的波形。

图2C示出根据本公开的一些实施例跨如图2A中所示出的测试电路的电感器的电压的波形。

图2D示出根据本公开的一些实施如图2A中所示出的测试电路的电感器的电流的波形。

图2E示出根据本公开的一些实施例跨如图2A中所示出的测试电路100的晶体管的漏极和源极的电压的波形。

图2F示出根据本公开的一些实施例流经如图2A中所示出的测试电路的晶体管的漏极和源极的电流的波形。

图3A示出根据本公开的一些实施例如图1中所示出在降压电路模式中操作的测试电路的示意图。

图3B示出根据本公开的一些实施例如图3A中所示出的测试电路的晶体管的栅极处的电压的波形。

图3C示出根据本公开的一些实施例跨如图3A中所示出的测试电路的电感器的电压的波形。

图3D示出根据本公开的一些实施如图3A中所示出的测试电路的电感器的电流的波形。

图3E示出根据本公开的一些实施例跨如图3A中所示出的测试电路的晶体管的漏极和源极的电压的波形。

图3F示出根据本公开的一些实施例流经如图3A中所示出的测试电路的晶体管的漏极和源极的电流的波形。

图4A示出根据本公开的一些实施例的升压电路的示意图。