[发明专利]电子器件和静电放电保护电路

权利要求书

1.一种电子器件，其包括：

第一III族氮化物晶体管；及

静电放电ESD保护电路，其包括：

二极管，其具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的栅极的阳极；以及

第二晶体管，其具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的漏极、电连接到所述二极管的阴极的栅极以及电连接到所述第一III族氮化物晶体管的源极的源极。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述ESD保护电路进一步包括N个串联电连接在所述第二晶体管的所述漏极与所述第二晶体管的所述栅极之间的二极管，其中N是等于或大于2的整数。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述ESD保护电路的所述二极管的阈值电压具有小于0.3V的变化。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述ESD保护电路配置成在施加到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的电压等于或大于所述二极管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压的总和的情况下，从所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极排出电流。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中通过所述ESD保护电路排出的所述电流具有流过所述二极管的第一部分和流过所述第二晶体管的第二部分，并且所述电流的所述第一部分小于所述电流的所述第二部分。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中

所述二极管为III族氮化物肖特基势垒二极管，

所述第二晶体管为III族氮化物晶体管，且

所述二极管和所述第二晶体管与所述第一III族氮化物晶体管集成。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其进一步包括连接在所述第二晶体管的所述栅极与所述第二晶体管的所述源极之间的电阻器。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一III族氮化物晶体管为功率器件。

9.一种电子器件，其包括：

第一III族氮化物晶体管；及

静电放电ESD保护电路，其电连接在所述第一III族氮化物晶体管的栅极与所述第一III族氮化物晶体管的源极之间，所述ESD保护电路包括N个串联电连接的二极管，

其中N为等于或大于2的整数，且

其中所述二极管的阈值电压具有小于0.3V的变化。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其进一步包括第二III族氮化物晶体管，所述第二III族氮化物晶体管具有电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的漏极和电连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述源极的源极。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述二极管包括

第一二极管，其具有电连接到所述第二III族氮化物晶体管的所述漏极的阳极；及

第二二极管，其具有电连接到所述第一二极管的阴极的阳极和电连接到所述第二III族氮化物晶体管的所述栅极的阴极。

12.根据权利要求10所述的电子器件，其进一步包括连接在所述第二III族氮化物晶体管的栅极与所述第二III族氮化物晶体管的所述源极之间的电阻器。

13.根据权利要求10所述的电子器件，其中所述ESD保护电路配置成在施加到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的电压等于或大于所述二极管的阈值电压与所述第二III族氮化物晶体管的阈值电压的总和的情况下，从所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极排出电流。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中通过所述ESD保护电路排出的所述电流具有流过所述二极管的第一部分和流过所述第二III族氮化物晶体管的第二部分，并且所述电流的所述第一部分小于所述电流的所述第二部分。