[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括：透光衬底，由第一材料组成，透光衬底具有第一表面，第一表面包括第一区域和第二区域；

半导体发光序列，堆叠在透光衬底的第一表面的第一区域，自第一表面开始依次包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；透光衬底的第一表面的第一区域具有第一表面积与第一投影面积，透光衬底的第一表面第二区域具有第二表面积与第二投影面积，第二表面积与第二投影面积的比值大于第一表面积与第一投影面积的比值。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：还包括多个异质凸起部，覆盖在所述的透光衬底的第一表面的第一区域上，异质凸起部由第二材料组成，第二材料不同于第一材料。

3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二材料的折射率低于所述第一材料的折射率。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透光衬底的第一表面的第二区域具有多个第一凸起部和多个第一凸起部之间的凹部。

5.根据权利要求4所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一凸起部具有至少一个固定斜率的倾斜面。

6.根据权利要求4所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一凸起部的顶部为点状或平台。

7.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透光衬底的第一表面的第一区域为平面。

8.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透光衬底的第一表面的第一区域为非平面，第一区域具有多个第二凸起部和多个第二凸起部之间的凹部。

9.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第二区域具有的多个第一凸起部相对于其周围的凹部的深度大于所述第一区域的多个第二凸起部相对于其周围的凹部的深度。

10.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的异质凸起部与第一凸起部的深度比至少为9：1。

11.根据权利要求4所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述异质凸起部覆盖在所述第一凸起部表面。

12.根据权利要求4所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述多个第一凸起部和多个第一凸起部之间的凹部表面被连续的绝缘层覆盖。

13.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第一导电型半导体层侧壁具有至少一个相对半导体发光序列的堆叠方向倾斜的倾斜面。

14.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列具有第一导电型半导体层，第一导电型半导体层的侧壁上具有深入其内部一定深度的凹槽。

15.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的异质凸起部的侧壁为非固定倾斜角度的弧形。

16.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的异质凸起部为氧化硅或氮化硅或金属氧化物中的一种或多种。

17.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明衬底为蓝宝石。

18.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：半导体发光序列远离衬底的一面侧为出光面。