[发明专利]带有具有梅花形状的沟道结构的三维存储器件

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

衬底；以及

沟道结构，其在所述衬底之上垂直地延伸，并且具有在平面图中包括多个花瓣的梅花形状，

其中，所述沟道结构包括，在所述多个花瓣中的每个花瓣中的半导体沟道和位于所述半导体沟道之上并且与所述半导体沟道接触的沟道插塞。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述花瓣的数量大于2。

3.根据权利要求1或2所述的3D存储器件，其中，所述多个半导体沟道是彼此分离的，并且所述多个沟道插塞是彼此分离的。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个半导体沟道中的每个半导体沟道的厚度在所述平面图中是标称上均匀的。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的3D存储器件，其中，在所述多个花瓣中的每个花瓣中，所述沟道插塞的横向尺寸大于所述半导体沟道的横向尺寸。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述沟道结构还包括阻隔层、电荷捕获层和隧穿层，所述阻隔层、所述电荷捕获层和所述隧穿层在所述平面图中从外到内按照该次序排列，并且所述阻隔层、所述电荷捕获层和所述隧穿层中的每项是遵循所述沟道结构的所述梅花形状的连续的层。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中，所述沟道结构还包括位于所述多个花瓣中的每个花瓣中的与所述半导体沟道共面的花瓣封盖层，并且所述半导体插塞是在横向上与所述半导体沟道和所述花瓣封盖层对齐的。

8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述多个花瓣封盖层中的每个花瓣封盖层的厚度是在所述平面图中非均匀的。

9.根据权利要求7或8所述的3D存储器件，还包括填充所述沟道结构的剩余空间的核心封盖层，其中，所述花瓣封盖层和所述核心封盖层包括不同的电介质材料。

10.根据权利要求8或9所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层、所述电荷捕获层、所述隧穿层、所述半导体沟道、所述花瓣封盖层和所述核心封盖层分别包括氧化硅、氮化硅、氧化硅、多晶硅、氮化硅和氧化硅。

11.根据权利要求6-10中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层、所述电荷捕获层和所述隧穿层中的每项的厚度在所述平面图中是标称上均匀的。

12.根据权利要求6-11中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个半导体沟道中的每个半导体沟道在横向上设置在位于所述花瓣中的相应花瓣的顶点处的所述隧穿层的部分的上方。

13.根据权利要求1-12中的任一项所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道和所述沟道插塞包括相同的半导体材料。

14.一种三维(3D)存储器件，包括：

各自遵循梅花形状的连续阻隔层、连续电荷捕获层和连续隧穿层，所述连续阻隔层、所述连续电荷捕获层和所述连续隧穿层在平面图中从外到内按照该次序排列；

各自在横向上设置在位于所述梅花形状的相应顶点处的所述连续隧穿层的部分的上方的多个分离的半导体沟道；

各自在横向上设置在所述多个半导体沟道中的相应半导体沟道的上方的多个分离的花瓣封盖层；以及

在横向上被所述多个花瓣封盖层和所述隧穿层包围的连续核心封盖层，其中，所述花瓣封盖层和所述核心封盖层包括不同的电介质材料。

15.根据权利要求14所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层、所述电荷捕获层、所述隧穿层、所述半导体沟道、所述花瓣封盖层和所述核心封盖层分别包括氧化硅、氮化硅、氧化硅、多晶硅、氮化硅和氧化硅。