[发明专利]用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

等离子体室；

电介质壁，所述电介质壁形成所述等离子体室的至少一部分；

电感耦合元件，所述电感耦合元件位于所述电介质壁的附近，配置为在被射频(RF)能量激励时，在所述等离子体室中产生等离子体；和

静电屏蔽件，所述静电屏蔽件位于所述电感耦合元件与所述电介质壁之间，所述静电屏蔽件包括多个屏蔽板，其中，每个屏蔽板靠近所述电介质壁的表面具有靠近所述电介质壁的至少一个边缘，所述边缘以大于或等于约1毫米的半径被圆形化。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，位于所述静电屏蔽件的两个相邻屏蔽板之间的间隙在约2毫米至约30毫米的范围内。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件与所述电介质壁的外表面之间的间隙在约0.5毫米至约15毫米的范围内。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述多个屏蔽板中的每个屏蔽板的厚度在约2毫米至约15毫米的范围内。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述至少一个边缘的曲率半径在约1毫米至约15毫米的范围内。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件通过可变阻抗被电接地。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件包括第一层和第二层，所述第一层包括多个第一屏蔽板，所述第二层包括多个第二屏蔽板，其中，所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板各自具有椭圆形截面或圆形截面。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板被布置成使得所述多个第一屏蔽板的两个相邻屏蔽板之间的每个间隙与所述多个第二屏蔽板的屏蔽板重叠，以阻挡从所述电感耦合元件到所述电介质壁的视线。

9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板独立地电接地。

10.一种等离子体处理装置，包括：

等离子体室；

电介质壁，所述电介质壁形成所述等离子体室的至少一部分；

电感耦合元件，所述电感耦合元件位于所述电介质壁的附近，配置为在被射频(RF)能量激励时，在所述等离子体室中产生等离子体；和

静电屏蔽件，所述静电屏蔽件位于所述电感耦合元件与所述电介质壁之间，所述静电屏蔽件包括多个狭缝，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝相对于与所述电介质壁垂直的方向成角度，以产生从所述电感耦合元件到所述电介质壁的倾斜视线角度。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝相对于与所述电介质壁垂直的方向成约45°±15°的角度。

12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝在顺时针方向上成角度，以在所述静电屏蔽件与所述电介质壁之间形成顺时针图案。

13.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝在逆时针方向上成角度，以在所述静电屏蔽件与所述电介质壁之间形成逆时针图案。