[发明专利]三维存储器件中的同轴阶梯结构及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

存储阵列结构；以及

位于所述存储阵列结构中间的同轴阶梯结构，其中，所述同轴阶梯结构包括在平面图中径向方向上的多个同轴区，并且所述多个同轴区中的每个同轴区包括在所述平面图中切线方向上的多个阶梯。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，在所述多个同轴区的每个同轴区中的所述多个阶梯处于不同的深度。

3.根据权利要求1或2所述的3D存储器件，其中，在所述多个同轴区中的每个同轴区中的所述多个阶梯具有标称上相同的横向尺寸。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个同轴区处于不同深度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，其中，所述同轴阶梯结构还包括在切线方向上的多个扇区，并且所述多个扇区中的每个扇区包括在所述径向方向上的多个阶梯。

6.根据权利要求5所述的3D存储器件，其中，所述多个扇区中的每个扇区中的所述多个阶梯处于不同的深度。

7.根据权利要求5或6所述的3D存储器件，其中，在所述多个扇区中的每个扇区中的所述多个阶梯具有不同的横向尺寸。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个扇区处于不同深度。

9.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述同轴阶梯结构的每个阶梯处于不同的深度。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的3D存储器件，其中，所述同轴阶梯结构具有同轴圆布局。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的3D存储器件，其中，所述存储阵列结构包括垂直交错的导电层和电介质层，并且每个阶梯的高度等于一对或多对所述导电层和电介质层的总厚度。

12.一种三维(3D)存储器件，所述3D存储器件包括：

存储阵列结构；以及

位于所述存储阵列结构中间的同轴阶梯结构，其中，所述同轴阶梯结构包括在平面图中切线方向上的多个扇区，并且所述多个扇区中的每个扇区包括在所述平面图中径向方向上的多个阶梯。

13.根据权利要求12所述的3D存储器件，其中，所述多个扇区中的每个扇区中的所述多个阶梯处于不同的深度。

14.根据权利要求12或13所述的3D存储器件，其中，在所述多个扇区中的每个扇区中的所述多个阶梯具有不同的横向尺寸。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个扇区处于不同深度。

16.根据权利要求12-15中任一项所述的3D存储器件，其中，所述同轴阶梯结构还包括在所述径向方向上的多个同轴区，并且所述多个同轴区中的每个同轴区包括在所述切向方向上的多个阶梯。

17.根据权利要求16所述的3D存储器件，其中，在所述多个同轴区的每个同轴区中的所述多个阶梯处于不同的深度。

18.根据权利要求16或17所述的3D存储器件，其中，在所述多个同轴区中的每个同轴区中的所述多个阶梯具有标称上相同的横向尺寸。

19.根据权利要求16-18中任一项所述的3D存储器件，其中，所述多个同轴区处于不同深度。