[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，

所述半导体发光元件，具有：

半导体层叠体，具有n型层、被配置在所述n型层的上方的发光层、以及被配置在所述发光层的上方的p型层，该半导体层叠体具有作为所述n型层露出的凹部的一个以上的n露出部；

p布线电极层，被配置在所述p型层上；

绝缘层，连续地覆盖所述一个以上的n露出部的内侧面、以及所述p布线电极层的上方的一部分，具有在所述一个以上的n露出部的底面使所述n型层露出的开口部；

n布线电极层，在所述开口部与所述n型层接触，经由所述绝缘层被配置在所述p型层以及所述p布线电极层的上方；

作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第一n连接部件，

p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及

空洞部，被形成在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间，

所述一个以上的第一n连接部件，分别在一个以上的第一n端子区域与所述n布线电极层固态接合而成为一体，

在平面视中所述一个以上的第一n端子区域，包括所述开口部的上方的区域的至少一部分，

在与所述半导体层叠体的层叠方向平行的截面，在所述一个以上的第一n端子区域的下方，配置所述n布线电极层以及所述p型层，

所述一个以上的第一n连接部件是由Au构成的凸块。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，

所述半导体发光元件还具有作为用于与外部电连接的导电性部件的一个以上的第二n连接部件，

所述一个以上的第二n连接部件，分别在被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的一个以上的第二n端子区域，与所述n布线电极层连接。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，

所述一个以上的第一n连接部件与所述一个以上的第二n连接部件相离。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

所述一个以上的第一n连接部件的粒径，比所述n布线电极层的粒径大。

5.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

所述半导体发光元件具有：

p连接部件，被配置在所述p布线电极层中的、从所述n布线电极层以及所述绝缘层露出的区域；以及

种子金属层，被配置在所述一个以上的第一n连接部件与所述n布线电极层之间，以及所述p连接部件与p布线电极层之间，所述种子金属层的离所述半导体层叠体远的一侧的表面由Au构成，

所述p连接部件由Au构成。

6.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

所述一个以上的第一n连接部件分别包括一组元件侧n连接部件以及安装衬底侧n连接部件，

所述p连接部件包括，一组元件侧p连接部件以及安装衬底侧p连接部件，

所述元件侧n连接部件，被配置在比所述安装衬底侧n连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置，

所述元件侧p连接部件，被配置在比所述安装衬底侧p连接部件更靠近所述半导体层叠体的位置。

7.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

在所述n布线电极层的平面视中，所述一个以上的第一n端子区域的总面积，比被配置在所述一个以上的n露出部以外的所述n布线电极层的总面积大。

8.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

在所述n布线电极层的平面视中，关于所述一个以上的第一n端子区域各自的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述第一n端子区域更大。

9.如权利要求1至3的任一项所述的半导体发光元件，

在所述n布线电极层的平面视中，关于所述开口部的面积，与所述半导体发光元件的端部近的所述开口部更大。