[发明专利]用于多管芯操作的动态峰值功率管理

权利要求书

1.一种用于具有多个存储器管芯的存储器芯片的峰值功率管理(PPM)系统，包括：

在所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯上的PPM电路，每个PPM电路包括：

上拉驱动器，其电连接到电源和PPM电阻器的第一端；

下拉驱动器，其电连接到所述PPM电阻器的第二端；以及

PPM触点焊盘，其连接到所述PPM电阻器的所述第二端，

其中，所述多个存储器管芯的PPM触点焊盘彼此电连接；以及

其中，所述PPM系统被配置为基于所述PPM触点焊盘的电位来管理峰值功率操作。

2.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述PPM系统还包括：比较器，所述比较器具有电连接到所述多个存储器管芯的所述PPM触点焊盘的第一输入端子和电连接到参考电压的第二输入端子。

3.根据权利要求2所述的PPM系统，其中，所述比较器的输出端子连接到反相器。

4.根据权利要求2所述的PPM系统，其中，所述PPM系统还包括：RC滤波器，所述RC滤波器电连接到所述多个存储器管芯的所述PPM触点焊盘和所述比较器的所述第一输入端子。

5.根据权利要求2所述的PPM系统，其中，所述参考电压是基于所述存储器芯片上所允许的最大总电流的。

6.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述PPM触点焊盘的电位由流过所述PPM电路中的所述下拉驱动器的下拉电流进行调整。

7.根据权利要求6所述的PPM系统，其中，所述下拉电流包括高电流水平，所述高电流水平对应于所述峰值功率操作的峰值电流。

8.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述上拉驱动器包括p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

9.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述下拉驱动器包括n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

10.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述PPM触点焊盘、所述PPM电阻器和所述下拉驱动器在一节点处电连接。

11.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述PPM触点焊盘通过管芯对管芯连接而电连接，每个管芯对管芯连接包括金属互连。

12.根据权利要求1所述的PPM系统，其中，所述PPM触点焊盘通过倒装芯片键合、管芯对管芯键合或引线键合而电连接。

13.一种用于具有多个存储器管芯的存储器芯片的峰值功率管理(PPM)系统，包括：

在所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯上的PPM电路，每个PPM电路包括：

上拉驱动器，其电连接到电源和PPM电阻器的第一端；

下拉驱动器，其电连接到所述PPM电阻器的第二端；以及

PPM触点焊盘，其连接到所述PPM电阻器的所述第一端，

其中，所述多个存储器管芯的PPM触点焊盘彼此电连接；以及

其中，所述PPM系统被配置为基于所述PPM触点焊盘的电位来管理峰值功率操作。

14.一种用于具有多个存储器管芯的存储器芯片的峰值功率管理(PPM)的方法，其中，所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯包括具有PPM触点焊盘的PPM电路，并且其中，所述多个存储器管芯的PPM触点焊盘电连接，所述方法包括：

接通所述存储器芯片的选定存储器管芯上的所述PPM电路的下拉驱动器；

验证PPM使能信号，所述PPM使能信号由流过所述下拉驱动器的下拉电流进行调节；以及

当所述PPM使能信号指示所述存储器芯片的总电流小于所述存储器芯片所允许的最大总电流时，在所述选定存储器管芯上执行峰值功率操作。