[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202080004072.7 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115398601A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 明石将司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘影娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，其具备：处理室，其对样品进行等离子体处理；高频电源，其供给用于生成等离子体的高频电力；样品台，其载置所述样品；以及第一平板，其配置于所述样品台的上方且具有多个贯通孔，
所述等离子体处理装置的特征在于，
所述等离子体处理装置还具备：第二平板，其配置于所述第一平板与所述样品台之间且与所述第一平板对置；以及气体供给口，其配置于所述第一平板与所述第二平板之间的所述处理室的侧面且供给气体，
所述贯通孔配置于从中心离开规定的距离的部位的外侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述气体供给口相对于所述处理室的侧面的垂直方向倾斜规定的角度。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第二平板所具有的各个贯通孔配置为随着远离中心而直径变小。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述第二平板所具有的各个贯通孔配置为随着远离中心而直径变小。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还具备在所述处理室内形成磁场的磁场形成机构，
所述第一平板以及所述第二平板的材质为电介质。
6.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还具备在所述处理室内形成磁场的磁场形成机构，
所述第一平板以及所述第二平板的材质为电介质。
7.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还具备在所述处理室内形成磁场的磁场形成机构，
所述第一平板以及所述第二平板的材质为电介质。
8.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还具备在所述处理室内形成磁场的磁场形成机构，
所述第一平板以及所述第二平板的材质为电介质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
