[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法在审
申请号: | 202080004147.1 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN113498546A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 玉利南菜子;广田侯然;角屋诚浩;长谷征洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于,具备:
处理室,其对样品进行等离子处理;
高频电源,其提供用于生成等离子的高频电力;和
控制装置,其执行控制,在该控制中进行第一处理,该第一处理在作为单个所述样品的等离子处理或多个所述样品的等离子处理的批次处理与批次处理之间的空闲的期间,使用由被脉冲调制的所述高频电力生成的等离子来使所述处理室的内壁的温度成为所期望的温度。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述控制装置执行控制,在该控制中,在所述第一处理后进行第二处理,该第二处理使所述处理室的内壁的温度成为比所述所期望的温度高的温度。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置,其特征在于,
作为所述被脉冲调制的高频电力与所述脉冲调制的占空比的积的平均高频电力是基于规定为所述批次处理的等离子处理条件的高频电力而求得的值。
4.根据权利要求3所述的等离子处理装置,其特征在于,
在所述第二处理中使用的用于生成等离子的高频电力与规定为所述批次处理的等离子处理条件的高频电力相同。
5.一种等离子处理方法,使用等离子在处理室对样品进行处理,所述等离子处理方法的特征在于具有:
第一工序,在作为单个所述样品的等离子处理或多个所述样品的等离子处理的批次处理与批次处理之间的空闲的期间,使用由被脉冲调制的所述高频电力生成的等离子来使所述处理室的内壁的温度成为所期望的温度。
6.根据权利要求5所述的等离子处理方法,其特征在于,
所述等离子处理方法在所述第一工序后还具有:
第二工序,使所述处理室的内壁的温度成为比所述所期望的温度高的温度。
7.根据权利要求6所述的等离子处理方法,其特征在于,
作为所述被脉冲调制的高频电力与所述脉冲调制的占空比的积的平均高频电力是基于规定为所述批次处理的等离子处理条件的高频电力而求得的值。
8.根据权利要求7所述的等离子处理方法,其特征在于,
在所述第二工序中使用的用于生成等离子的高频电力与规定为所述批次处理的等离子处理条件的高频电力相同。
9.根据权利要求8所述的等离子处理方法,其特征在于,
所述第二工序的时间比所述第一工序的时间短。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术,未经株式会社日立高新技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080004147.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包含银耳培养液提取物的组合物
- 下一篇:音频流的稳定实时翻译
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造