[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其中，具备：

处理室，配置在真空容器内部且在内侧配置处理对象的晶片；

处理气体供给管线，与所述真空容器连结且与所述处理室连通，并向该处理室内供给具有附着性的处理用气体；以及

所述处理用气体的气体排气管线，将与排气泵连接并与所述处理室连通的处理室排气管线和所述气体供给管线连结而将它们连通，

该等离子处理装置具备进行如下工序的功能：在对所述晶片进行蚀刻的1个处理工序与下一个该处理工序彼此之间，在停止向所述处理室供给所述处理用气体的状态下，将所述气体供给管线内的所述处理用气体经由所述气体排气管线以及所述处理室排气管线进行排气。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

在对所述晶片进行蚀刻处理的处理工序之后，将具有成膜工序的多个工序作为1个循环，对配置在所述处理室内的所述晶片进行至少1次该循环，其中该成膜工序供给所述具有附着性的处理用气体而在所述晶片上形成膜。

3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其中，

所述气体供给管线具备所述处理用气体的流量调节器、配置在该流量调节器和与所述气体排气管线连接的部位之间的第1阀门、以及配置在该连接部位与所述处理室之间且将内部开闭的第2阀门，

并且，所述气体排气管线具有将其内部开闭的第3阀门，

该等离子处理装置具备在将所述处理用气体排气的工序中调节成将所述第1以及第2阀门关闭且将第3阀门打开的控制装置。

4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其中，

该等离子处理装置具备：

其他气体供给管线，在对所述晶片进行蚀刻处理的所述处理工序中供给其他处理用气体；以及

第4阀门，配置在该其他气体供给管线上并将内部开闭，

该等离子处理装置进行如下工序：对应于来自所述控制装置的指令信号将所述第4阀门关闭，并且在停止来自所述处理室的排气的状态下将所述处理用气体排气。

5.一种等离子处理方法，其中，进行如下工序：

蚀刻处理工序，在配置于真空容器内部的处理室内侧配置处理对象的晶片，并向该处理室内供给蚀刻用气体来对所述晶片进行处理；以及

成膜工序，在该蚀刻处理工序之后向所述处理室内供给具有附着性的成膜用的气体而在所述晶片上形成膜，

该等离子处理方法具备排气工序，在所述1个蚀刻处理工序与下一个该蚀刻处理工序彼此之间，在停止所述蚀刻用气体的供给的状态下，将与所述真空容器连结且与所述处理室连通的所述成膜用的气体所流动的成膜气体供给管线内的气体经由将处理室排气管线和所述成膜气体供给管线连结而将它们连通的成膜气体排气管线以及所述处理室排气管线进行排气，其中，所述处理室排气管线与排气泵连接并与所述处理室连通。

6.根据权利要求5所述的等离子处理方法，其中，

在所述蚀刻处理工序之后，将具有所述成膜工序的多个工序作为1个循环，对配置在所述处理室内的所述晶片进行至少1次该循环。

7.根据权利要求5或6所述的等离子处理方法，其中，

所述成膜气体供给管线具备所述处理用气体的流量调节器、配置在该流量调节器和与所述气体排气管线连接的部位之间的第1阀门、以及配置在该连接部位与所述处理室之间且将内部开闭的第2阀门，

并且，所述成膜气体排气管线具有将其内部开闭的第3阀门，

该等离子处理方法在所述排气工序中将所述第1以及第2阀门关闭且将所述第3阀门打开。

8.根据权利要求7所述的等离子处理方法，其中，

在所述排气行程中，在将往所述处理室去的所述蚀刻用气体的处理气体供给管线闭塞并且停止从所述处理室内部向所述处理室排气管线的排气的状态下，进行所述排气工序。