[发明专利]一种成像方法、成像装置、可移动平台和电子设备在审

专利信息
申请号: 202080004739.3 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN112640440A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 徐泽;周雪梅;占世武 申请(专利权)人: 深圳市大疆创新科技有限公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378;H04N5/374;H04N5/365
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王江选
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 成像 方法 装置 移动 平台 电子设备
【权利要求书】:

1.一种成像方法,其特征在于,利用图像传感器进行成像;所述图像传感器包括:多个像素单元,所述像素单元包括:光电二极管和像素读取电路;所述成像方法包括:

所述像素读取电路复位所述光电二极管;

所述像素读取电路控制所述光电二极管曝光,使所述光电二极管在曝光过程中,在第一光强范围产生的电荷累积于所述光电二极管,在第二光强范围产生的一部分电荷累积于所述光电二极管,另一部分电荷传输至所述像素读取电路;其中,所述第二光强范围的光强值大于所述第一光强范围的光强值;

所述像素读取电路将累积于所述光电二极管的所述电荷转换为电压;

根据所述像素读取电路转换的所述电压得到所述曝光的信号电压。

2.如权利要求1所述的成像方法,其特征在于,所述像素读取电路包括:传输管和浮置扩散区;

所述像素读取电路控制所述光电二极管曝光,包括:

向所述传输管施加第一栅极电压,所述第一栅极电压小于所述传输管的栅极阈值电压,使所述另一部分电荷经所述传输管传输至所述浮置扩散区,之后关断所述传输管。

3.如权利要求2所述的成像方法,其特征在于,所述像素读取电路还包括:复位管;

所述像素读取电路复位所述光电二极管,包括:

向所述复位管施加一复位电压,并导通所述复位管,使所述浮置扩散区复位;

在所述复位管导通的同时,导通所述传输管,使所述光电二极管中的电荷被清空,之后关断所述复位管。

4.如权利要求2所述的成像方法,其特征在于,所述像素读取电路还包括:复位管、源跟踪器和行选通管;

所述像素读取电路将所述光电二极管累积的所述电荷转换为电压,包括:

依次导通所述行选通管和所述复位管,使所述浮置扩散区复位,之后关断所述复位管,使所述源跟踪器将所述浮置扩散区的电压放大为第一参考电压,所述第一参考电压经所述行选通管输出;

导通所述传输管,使所述光电二极管累积的电荷经所述传输管传输至所述浮置扩散区,之后关断所述传输管,所述源跟踪器将所述浮置扩散区的电压放大为第一信号电压,所述第一信号电压经所述行选通管输出。

5.如权利要求4所述的成像方法,其特征在于,所述根据所述像素读取电路转换的所述电压得到所述曝光的信号电压,包括:

读出所述第一参考电压和所述第一信号电压,将所述第一参考电压和所述第一信号电压的差值作为所述曝光的信号电压。

6.如权利要求1所述的成像方法,其特征在于,所述成像方法还包括:

利用所述像素单元的校准系数对所述信号电压进行校准;其中,所述校准系数可通过一校准系数获取过程得到。

7.如权利要求6所述的成像方法,其特征在于,利用所述像素单元的校准系数对所述信号电压进行校准,包括:

将所述信号电压乘以所述校准系数,得到校准后的信号电压。

8.如权利要求6所述的成像方法,其特征在于,所述校准系数获取过程包括:

获取所述多个像素单元的校准电压;

根据所述多个像素单元的所述校准电压得到所述像素单元的所述校准系数。

9.如权利要求8所述的成像方法,其特征在于,所述校准电压包括:第二参考电压和第二信号电压;

所述多个像素单元的每个像素单元包括:光电二极管和像素读取电路;

获取所述多个像素单元的校准电压,包括:

对于每个像素单元,像素读取电路向光电二极管传输一校准电荷,所述校准电荷再由光电二极管传输至像素读取电路,像素读取电路产生所述第二参考电压和所述第二信号电压,从而得到所述多个像素单元的校准电压。

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