[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：

(1)提供LED晶圆以及激光器，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个LED单元，相邻两LED单元之间具有一切割道；

(2)在LED单元的外表面上形成对激光器的激光波长具有反射能力的激光反射层，该激光反射层至少将LED单元位于切割道边缘的侧壁区域覆盖住；

(3)沿切割道进行激光正切或者激光束从LED单元侧入射进行激光隐切，得到发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层对激光器的激光波长反射率为80％以上。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层包含针对激光器的激光波长设计的布拉格反射层、光子晶体反射层或者布拉格反射层和光子晶体反射层两者混和的反射层结构。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层采用电子束蒸镀或者离子束溅射技术形成于LED单元的外表面上。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层还将LED单元背离衬底一侧的顶面边沿区域覆盖住。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述LED单元的外表面上具有对该LED单元出射光线波长具有反射能力的芯片反射层，所述激光反射层形成于芯片反射层上。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层对LED单元出射的光线波长具有反射能力。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述激光反射层包含布拉格反射层，该布拉格反射层由第一物质层和第二物质层交替层叠设置而成。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述第一物质层和第二物质层的厚度均随层数增加而减小。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述第一物质层和第二物质层的厚度均随层数增加而增加。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述第一物质层和第二物质层的厚度随层数随机变化。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于：所述布拉格反射层的层数大于3层且小于61层。

13.一种发光二极管芯片，其特征在于,包括：衬底及位于该衬底之上的外延结构，所述外延结构的侧表面上设置有激光反射层，该激光反射层对一用于衬底切割的激光束具有反射能力。

14.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述激光反射层对该激光束的反射率为80％以上。

15.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述用于衬底切割的激光束的波长为1064±100nm。

16.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述激光反射层为针对所述激光束设计的布拉格反射层、光子晶体反射层或者布拉格反射层和光子晶体反射层两者混和的反射层结构。

17.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述激光反射层还覆盖所述外延结构背离衬底一侧的顶面边沿区域。

18.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延结构的外表面上设置有芯片反射层，该芯片反射层对该LED芯片出射的光线具有反射能力，所述激光反射层形成于芯片反射层上。