[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，向处理室内供给将过渡金属进行络合物化的络合物化气体，从而对配置在容器内部的处理室内的半导体的晶片的上表面的包含所述过渡金属的处理对象的膜进行蚀刻，

所述半导体制造方法进行如下工序，从而对所述膜进行蚀刻：

第1工序，供给所述络合物化气体，并使该络合物化气体吸附在所述膜，之后使所述晶片的温度升高，从而在所述膜的表面形成有机金属络合物，并进行气化以使所述有机金属络合物脱离；和

第2工序，供给所述络合物化气体，并在较低的温度下使所述络合物化气体吸附在所述膜的所述表面而形成有机金属络合物，之后停止所述络合物化气体的供给，然后使所述晶片的温度阶段性地升高，从而将形成在所述膜的所述表面的所述有机金属络合物气化而使所述有机金属络合物脱离。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，

将所述第1工序反复1次或多次后，将所述第2工序反复1次或多次。

3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第1工序中，在供给所述络合物化气体的状态下将所述晶片的温度加热至比用于使所述有机金属络合物脱离的温度低的温度并维持给定期间，使物理地吸附在所述膜的所述络合物化气体的粒子化学地吸附在所述膜，之后对所述晶片进行加热以使所述晶片为较高的所述温度，从而使所述有机金属络合物脱离。

4.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第2工序中，供给所述络合物化气体，并将所述晶片加热至较低的所述温度并维持给定期间，使物理地吸附在所述膜的所述络合物化气体的粒子化学地吸附在所述膜，之后停止所述络合物化气体的供给。

5.根据权利要求3所述的半导体制造方法，其中，

在所述第2工序中，供给所述络合物化气体，并将所述晶片加热至较低的所述温度并维持给定期间，以使所述络合物化气体的粒子吸附在所述膜，之后停止所述络合物化气体的供给。

6.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第2工序中，停止所述络合物化气体的供给，然后使所述晶片的温度升高，在所述膜的所述表面形成了所述有机金属络合物，之后进一步使所述晶片的温度升高，以将所述有机金属络合物气化而使所述有机金属络合物脱离。

7.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第1工序以及所述第2工序中，在比所述有机金属络合物的分子的气体扩散开始温度高且比分解开始温度低的温度下，将形成在所述膜的所述表面的所述有机金属络合物气化而使所述有机金属络合物脱离。

8.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第1工序以及所述第2工序的至少一者中，供给所述络合物化气体并使所述晶片为所述络合物化气体的沸点的温度以下的温度，从而使所述络合物化气体吸附在所述膜。

9.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第1工序或所述第2工序的开始前，对配置在所述处理室内的所述晶片进行加热，以使水蒸汽脱离，之后进行冷却。

10.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其中，

在所述第1工序或所述第2工序中，与所述络合物化气体一起供给络合物稳定化气体。