[发明专利]抗蚀剂剥离液

说明书

提供：在铜/钼的层叠膜上剥离经硬烘培的抗蚀剂时，铜、钼的侧蚀得到了抑制的抗蚀剂剥离液。一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，包含：相对于剥离液总量为0.5～5质量％的2级环状胺、相对于前述2级环状胺为5～10质量％的碱性氨基酸、相对于前述碱性氨基酸为10～30质量％的保护剂、相对于前述2级环状胺为10～50质量％的糖醇、有机极性溶剂、以及水。

技术领域

本发明涉及在剥离用于光刻时的光致抗蚀剂时使用的抗蚀剂剥离液。

背景技术

已经提出了能够提供4K、8K这样的高画质的广播传输格式，而且也已经开始进行测试广播。与其相应地电视也逐渐提供大屏幕。液晶电视是目前电视的主流，对应于像素的晶体管形成于大屏幕用的透明基板(玻璃)上。该形成利用了光刻技术。

由于屏幕的大型化，需要使形成于透明基板上的导电部分的电阻降低。因此，导电部分逐渐利用了铜。铜的导电性高。然而，对透明基板的附着力低。因此，在透明基板与铜之间利用了钼作为基底层。

已知钼是通常不易被腐蚀的金属，但形成与铜的二层结构时会被严重腐蚀。

专利文献1公开了一种剥离液，将在钼层上配置了铜层的二层结构的两层蚀刻后，用于剥离抗蚀层的剥离液使用2级烷醇胺或3级烷醇胺、及不具有硫醇基和酰胺结构且包含2个以上氮的氨基酸，由此能够抑制钼的腐蚀，将抗蚀剂剥离。

另外，专利文献1中，使用苯并三唑等铜的腐蚀保护剂时，在铜表面产生析出物，因此不使用其也是特征。

需要说明的是，目前，使用比专利文献1申请时更大的透明基板。因此，在大屏幕上通过光刻形成元件的情况，进行1个元件的失败也不允许的严格的生产管理。因此，要求不发生与蚀刻错误直接相关的所涂布的光致抗蚀膜的剥离。其结果，有曝光前的光致抗蚀剂的烘焙处理(也称为焙烧处理)的温度上升的倾向。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/073887号

发明内容

发明要解决的问题

已知氨基酸是强烈腐蚀铜的物质。即虽说专利文献1的剥离液的程度低，但却是在没有铜的保护剂的情况下与腐蚀铜的胺类一起使用强烈腐蚀铜的氨基酸。然而，专利文献1的剥离液也抑制了铜的腐蚀及基底的钼的腐蚀。

其理由考虑如下。在利用剥离液时，在铜的表面进行氧的还原。因此，电子从铜的表面供给至剥离液侧。此处，使用不易腐蚀铜的胺类时，由钼供给而非由铜供给电子。因此，钼被腐蚀。

另一方面，此处，通过同时利用腐蚀铜的氨基酸，由此从铜中也释放出电子，而抑制钼的腐蚀。即是如下方法：对于用不易腐蚀铜的烷醇胺剥离抗蚀剂，在铜表面发生的还原作用中利用的电子的供给，不仅由钼供给而且还由铜本身供给。

即，通过有意地使铜层在一定程度上腐蚀从而保护钼层，通过烷醇胺与氨基酸的平衡旨在对两层进行保护。

然而，目前与专利文献1申请时相比，在现场的抗蚀剂的焙烧温度增高(硬烘培)，现状是烷醇胺无法剥离抗蚀剂本身。因此，需要比烷醇胺更适于经硬烘培的抗蚀剂的分解的碱性物质。

另外，像素附近的导电部分是相对较细的图案，而在屏幕周边的部分，来自各像素的导电部分被汇总，因此成为较宽的图案。

由此，在较宽的图案和较窄的图案混在的状态下使用强碱时，存在难以调节胺与氨基酸的平衡这样的问题。即，该方法中，基本上氨基酸少(胺多)时钼被腐蚀，氨基酸多(胺少)时铜被腐蚀。然而，在较宽的图案与较窄的图案这两者中，氨基酸与胺处于平衡的范围变得非常窄，实质上无法提供获得平衡的剥离液。

用于解决问题的方案