[发明专利]错误恢复方法、使用该方法的微控制器单元以及包括微控制器单元的电池设备

说明书

微控制器单元(MCU)包括闪存，其中，当MCU被通电时，闪存可以确定应用的密钥值，并且当应用的密钥值无效时，闪存可以进入启用重新编程的模式。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0003998的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本公开涉及一种错误恢复方法，使用该错误恢复方法的微控制器单元以及包括该微控制器的电池设备。

背景技术

当擦除或写入应用密钥时，可能发生意外断电，从而对存储器造成损坏。然后，由于在以后读取应用密钥时发生的错误校正码(ECC)错误而导致发生CPU核心异常，使得发生软件重置。

因此，在初始通电和读取应用密钥区域的过程之间发生无限重复以确认有效密钥。然后，应用和闪存引导加载程序(Flash Bootloader，FBL)两者处于其中它们未被执行的状态。

发明内容

技术问题

可以提供闪存的错误恢复方法，使用该闪存的错误恢复方法的微控制器单元以及包括该微控制器单元的电池设备。

技术方案

根据本发明的一方面的微控制器单元(MCU)包括闪存，其中，当MCU被通电时，闪存确定应用的密钥值，并且当应用的密钥值无效时，闪存进入启用重新编程的模式。

闪存可以包括闪存引导加载程序、应用块和应用密钥块，闪存引导加载程序在MCU被通电时确定应用密钥块中的应用密钥值，以及，当应用密钥的密钥值无效时，闪存可以进入闪存引导加载程序模式。

应用块可以在闪存引导加载程序模式下对所接收的应用数据进行重新编程。

应用密钥块可以在重新编程完成之后写入有效的应用密钥值。

闪存可以在接收到重新编程请求时，擦除与重新编程请求相对应的应用的密钥值，并进入模式。

闪存可以在模式下对所接收的应用数据进行重新编程并写入应用密钥值。

根据本发明的另一方面，提供了一种微控制器单元(MCU)的错误恢复方法，该微控制器单元(MCU)包括闪存，该闪存包括闪存引导加载程序、应用块和应用密钥块。错误恢复方法包括：当MCU被通电时，由闪存引导加载程序确定在应用密钥块中的应用密钥值；以及，当在确定中应用密钥值无效时，停留在闪存引导加载程序中以启用重新编程。

MCU的错误恢复方法可以进一步包括：对所接收的应用数据进行重新编程；以及，在重新编程完成之后，写入应用密钥值。

MCU的错误恢复方法可以进一步包括：在确定中，当应用密钥值有效时，执行对应应用；在执行对应应用期间接收重新编程请求；以及，当接收重新编程请求时，擦除对应应用的密钥值。

在擦除应用密钥值之后，可以由闪存引导加载程序根据应用密钥块中的应用密钥值的确定来执行错误恢复方法。

根据本发明的另一方面的电池设备包括：电池单体组件，其包括电连接的多个电池单体；微控制器单元(MCU)，其包括存储用于电池管理的应用的闪存；以及，电池管理系统，其根据MCU执行的应用来执行电池管理。其中，当MCU被通电时，闪存可以确定应用的密钥值，并且当应用的密钥值无效时，闪存可以进入启用重新编程的模式。

有益效果

可以提供闪存的错误恢复方法，使用闪存的错误恢复方法的微控制器单元以及包括该微控制器单元的电池设备。

附图说明

图1示出了根据示例性实施例的微控制器单元。