[发明专利]一种氮化镓器件及其驱动电路

权利要求书

1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的氮化镓GaN缓冲层；

形成在所述GaN缓冲层之上的铝氮化镓AlGaN势垒层；

以及，形成在所述AlGaN势垒层之上的源极、漏极和栅极；

其中，所述栅极包括形成在所述AlGaN势垒层之上的P型掺杂氮化镓P-GaN盖层，以及形成在所述P-GaN盖层之上的第一栅极金属和第二栅极金属，所述第一栅极金属与所述P-GaN盖层之间形成肖特基接触，所述第二栅极金属与所述P-GaN盖层之间形成欧姆接触，所述第一栅极金属和所述第二栅极金属沿着垂直于所述栅极的栅宽方向间隔并列设置。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述栅极包括多个第一栅极金属和多个第二栅极金属。

3.根据权利要求2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述多个第一栅极金属和所述多个第二栅极金属沿着所述栅极的栅宽方向间隔交替分布。

4.根据权利要求2所述的氮化镓器件，其特征在于，所述多个第二栅极金属包括一个靠近所述P-GaN盖层的平行于所述栅极的栅宽方向的边缘、并且沿着栅宽方向延伸的纵向栅极金属，以及，沿着栅宽方向分布设置的多个横向栅极金属，每个所述横向栅极金属的一端与所述纵向栅极金属连接。

5.根据权利要求4所述的氮化镓器件，其特征在于，多个所述第一栅极金属沿着栅宽方向与所述多个横向栅极金属交替分布。

6.根据权利要求1-5任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，还包括：耗尽型高电子迁移率晶体管HEMT；其中，

所述耗尽型HEMT的源极耦合至所述第一栅极金属；

所述耗尽型HEMT的栅极耦合至所述氮化镓器件的源极；

所述耗尽型HEMT的漏极耦合至所述第二栅极金属。

7.一种驱动电路，其特征在于，

包括：栅极驱动器和权利要求1-6任一项所述的氮化镓器件；其中，

所述氮化镓器件的第一栅极金属和第二栅极金属耦合至所述栅极驱动器的信号输出端；所述第二栅极金属与所述栅极驱动器的信号输出端之间串联有栅极驱动电阻和开关。

8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，

所述开关用于在所述栅极驱动器的驱动信号的上升沿到来时，延迟预设时长之后断开。

9.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，

所述开关用于在所述栅极驱动器的驱动信号的下降沿到来时闭合。