[发明专利]一种发光装置

权利要求书

1.一种发光元件，包括：倒装发光二极管和承载基板，倒装发光二极管通过锡膏固定于承载基板上；所述的倒装发光二极管包括半导体发光序列、位于半导体发光序列的同一侧且电性相反的第一结合电极和第二结合电极；其中第一结合电极和第二结合电极自半导体发光序列一侧开始，依次包括过渡金属层、结合层，从半导体发光序列的堆叠方向上看，结合层包括第一部分和第二部分；共晶层，介于倒装发光二极管与承载基板之间，为所述第一结合电极和第二结合电极的结合层的第一部分与锡膏中的锡共晶形成，结合层第二部分介于共晶层与过渡金属层之间。

2.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：其中从半导体发光序列的堆叠方向上看，所述结合层第二部分介于共晶层与过渡金属层之间的厚度至少50nm，至多300nm。

3.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的过渡金属层包括应力缓冲层、反射层或应力过渡层的至少一种。

4.根据权利要求3所述的一种发光元件，其特征在于：所述的过渡金属层包括应力缓冲层，所述的应力缓冲层为Ti、Al、Cu、Au中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的结合层的第二部分为Ni层或Ni层中插入其它的金属层或主要含Ni的合金层或共镀层。

6.根据权利要求5所述的一种发光元件，其特征在于：其中共晶层和结合层的第二部分覆盖在过渡金属层的顶面和侧壁。

7.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的过渡金属层包括应力缓冲层，应力缓冲层与结合层之间还包括应力过渡层。

8.根据权利要求7所述的一种发光元件，其特征在于：所述的应力过渡层为Ti或Cr。

9.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的过渡金属层包括应力缓冲层，且应力缓冲层为多层，相邻应力缓冲层之间包括一层阻挡析出层，从半导体发光序列的堆叠方向上看，阻挡析出层和应力缓冲层以小于或者等于1：3的厚度重复堆叠。

10.根据权利要求9所述的一种发光元件，其特征在于：所述的阻挡析出层为Ti或Cr。

11.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的承载基板为封装基板或者电路板，所述的倒装发光二极管通过一次回流焊工艺安装在承载基板上。

12.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：所述的承载基板为电路板，倒装发光二极管通过两次回流焊工艺直接或间接安装在电路板上。

13.根据权利要求11或12所述的一种发光元件，其特征在于：所述的承载基板为柔性基板。

14.根据权利要求1所述的一种发光元件，其特征在于：倒装发光二极管为倒装高压二极管，包括n颗子芯片和一个衬底，n颗子芯片位于衬底上且彼此之间通过沟槽而相互独立，n大于等于3，分别为第1子芯片、第n子芯片和至少一其它子芯片，每一子芯片包括一半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层。

15.根据权利要求14所述的一种发光元件，其特征在于：还包括绝缘性反射层；所述反射层覆盖在所述每一子芯片的半导体发光序列上以及沟槽内，反射层具有第一结合电极通孔和第二结合电极通孔，第一结合电极通孔和第二结合电极通孔分别位于第1子芯片和第n子芯片上；第一结合电极通过第一结合电极通孔电连接至第1子芯片的第二导电类型半导体层，第二结合电极通过第二结合电极通孔电连接至第n子芯片的第一导电类型半导体层。