[发明专利]存储器、存储器的错误恢复方法以及包括该存储器的电池装置

说明书

存储器可包括：应用区域，其存储至少一个应用；闪存引导加载程序(FBL)区域，其包括用于更新应用区域的代码；以及，BUM模块，在FBL区域中检测到缺陷之后其被激活，删除FBL区域，将FBL图像的二进制代码信息写入FBL区域，确定写入FBL区域中的二进制代码是否与FBL图像的二进制代码信息匹配，并且当两个二进制代码信息匹配时被去激活。可以在应用区域中设置FBL图像和BUM模块。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年1月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0006275的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本公开涉及一种存储器，一种用于恢复存储器的错误的方法以及一种包括该存储器的电池装置。

背景技术

存储在存储器中的软件的结构由应用区域和闪存引导加载程序(FlashBootloader，FBL)区域形成。

当应用区域的代码被损坏或包括缺陷时，可以通过FBL区域中的代码对应用区域进行更新或重新编程。

然而，当在FBL区域中存在缺陷时，不仅很难在FBL区域中发现缺陷，而且不可能对应用区域进行更新或重新编程。在这种情况下，存在包括存储器的系统需要通过更新设备来分解和重新编程，或者需要更换整个系统的问题。

发明内容

技术问题

本发明提供了一种当FBL中发生错误时能够从FBL中的错误恢复的存储器、一种用于恢复该存储器的方法以及一种包括该存储器的电池装置。

技术方案

根据本发明的一方面的存储器包括：应用区域，其存储至少一个应用；闪存引导加载程序(FBL)区域，其包括用于更新应用区域的代码；以及，BUM模块，在FBL区域中检测到缺陷之后其被激活，删除FBL区域，将FBL图像的二进制代码信息写入FBL区域中，确定写入FBL区域中的二进制代码是否与FBL图像的二进制代码信息匹配，并且当两个二进制代码信息匹配时被去激活。可以在应用区域中设置FBL图像和BUM模块。

FBL区域可以通过与包括存储器的装置的唤醒同步而执行闪存引导加载程序代码的缺陷检查。

BUM模块可以计算写入FBL区域中的二进制代码的校验和，并且当所计算的值与作为相对于FBL图像的二进制代码的校验和计算值的参考校验和匹配时可以被去激活。

可替代地，BUM模块可以计算写入FBL区域中的二进制代码的校验和，并且当确定计算值与作为FBL图像的二进制代码的校验和计算值的参考校验和不匹配时，BUM模块可以删除FBL区域，将FBL图像的二进制代码信息写入FBL区域，计算写入FBL区域中的二进制代码的校验和，并确定计算值是否与作为相对于FBL图像的二进制代码的计算的校验和值的参考校验和匹配。

根据本发明的另一方面的一种包括应用区域和闪存引导加载程序(FBL)区域的存储器的错误恢复方法，该FBL区域包括用于更新应用区域的代码，该方法包括：由FBL区域通过与唤醒同步来执行闪存引导加载程序代码的缺陷检查；当作为缺陷检查的结果在FBL区域中检测到缺陷时，激活引导加载程序更新管理器(BUM)模块；由BUM模块删除FBL区域；由BUM模块将FBL图像的二进制代码信息写入FBL区域中；由BUM模块确定写入FBL区域中的二进制代码是否与FBL图像的二进制代码信息匹配；以及根据确定的结果激活或去激活BUM模块。可以在应用区域中设置FBL图像和BUM模块。

执行对FBL区域的闪存引导加载程序代码的缺陷检查可以包括：使用闪存引导加载程序代码的校验和。