[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备设置有N型区的半导体基板，

所述N型区是包括所述半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，

所述N型区在所述中央位置包含浓度比载流子浓度低且浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述N型区在所述中央位置包含浓度小于载流子浓度的0.9倍的受主。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述N型区在所述中央位置包含浓度小于所述载流子浓度的0.1倍的所述受主。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述N型区在所述中央位置包含浓度为1.0×10¹¹/cm³以上且1.0×10¹⁵/cm³以下的所述受主。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板在整个所述N型区包含浓度为所述载流子浓度的0.001倍以上且不足0.9倍的所述受主。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述N型区在所述深度方向上具有所述半导体基板的厚度的40％以上的长度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板具有：

有源区，其形成有晶体管部和二极管部中的至少一方；以及

边缘终止结构部，其在俯视所述半导体基板时以包围所述有源区的方式设置，并形成有多个P型的保护环，

在2个所述保护环之间设置有所述N型区，所述N型区包含浓度为所述载流子浓度的0.001倍以上且不足0.9倍的所述受主。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述N型区设置在不与所述半导体基板的侧壁接触的范围。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述N型区中，体受主浓度N_A相对于施主浓度N_F的比例N_A/N_F为0.5以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述N型区中，将实际的体受主浓度N_Are相对于体受主浓度的目标值N_A0的比例κ设为κ＝N_Are/N_A0，

将实际的施主浓度N_Fre相对于最终施主浓度的目标值N_F0的比例θ设为θ＝N_Fre/N_F0，将所述θ的上限值设为θ₊，并将所述θ的下限值设为θ_-，所述θ₊为1.15，所述θ_-为0.85，

所述比例κ和所述θ的上限值θ₊和θ_-满足下式：

(1-θ₊)/α′+1≤κ≤(1-θ_-)/α′+1

其中，α′＝N_A0/N_F0，N_F0是所述N型区的施主浓度的目标值。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板具有：

沟槽部，其设置于上表面；以及

P型区，其与所述沟槽部的下端接触。